在功率放大電路中，應根據晶體管所承受的最大管壓降Vces、集電極最大的電流Icm和最大的功耗來選擇晶體管。

1、最大的管壓降

從OCL電路工作原理的分析可知，兩只功放管中Q1和Q2處于截至狀態的管子將承受較大的管壓降。假設輸入電壓Ui為正半周，Q1導通，Q2截至，當Ui從0開始增加到峰值時，Q1和Q2管的發射極電位Ve逐漸增加到（VCC-Vces1），因為Q2管的管壓降Vec2的數值 Vec2=（Ve-0）=Ve，Vce2max=Vcc-Vces1.利用同樣的分析方法去分析，可得：

當Ui為負的峰值時，Q1管承受最大的管壓降，數值為VCC-Vces2.所以考慮要預留一定的余量，管子承受最大的壓降為/Vcemax/=Vcc。

2、集電極最大電流

從電路最大輸出功率的分析可知，晶體管的發射極電流等于負載電流，負載電阻上的的最大電壓為Vcc-Vces1，故集電極電流的最大值為：

Ic≈Iemax=（Vcc-Vces1）/RL

考慮留有一定余量

Icmax=Vcc/RL

3、集電極最大功率

在功率放大電路中，電源提供的功率，除了轉換輸出功率外，其余部分主要消耗在功率管Q1和Q2上，可以認為晶體管所損耗的功率Pq=Pv-Po。當輸入電壓為2.5v時，即輸出功率最小時，由于集電極電流非常小，使管子的損耗很小；

當輸入電壓最大時，即輸出功率最大，由于管子壓降很小，使管子的損耗也很小；可見，管耗最大既不會發生在電壓電壓最小時，也不會發生在輸入電壓最大時。下面列出了晶體管的集電極功耗Pq與輸出電壓峰值Vom的關系，然后對Vom求管壓降和集電極電流瞬時值的表達式：

Vce=（Vcc-Vomsinwt），Ic=Vom/RL*sinwt

功耗Pq為功放管Q1和Q2管所損耗的平均功率，所以每只晶體管的集電極功耗表達式為：

瞬時最大的管壓降*瞬時的電流 再求平均

Pq=1/2Π（Vcc-Vomsin wt）*Vom/RL*sin wt*dwt

=1/RL（Vcc*Vom/Π-Vom^2/4）

假設dPq/dVom=0，可以求得，Vom=2/Π*Vcc≈0.6Vcc。

以上分析表明，當Uom≈0.6Vcc時，Pq=Pqmax。 將Uom代入Pq==1/RL（VccUom/Π-Uom^2/4）

Pqmax=Vcc^2/Π^2RL

當Vces=0時，根據Pom=Vom^2/RL=Vcc^2/2RL

Pqmax=2*Pom/Π^2≈0.2Pom/Uces=0

可見，晶體管集電極最大功耗僅為理想（飽和壓降為0）時最大輸出功率的五分之一。

查詢手冊選擇晶體管時，應使用極限參數

Vbrceo》Vcc

Icm》Vcc/RL

Pcm》0.2Pom/Vces=0， Pcm集電極功耗

這里仍需要強調的，在選擇晶體管時，其極限參數，特別是Pcm應留一定的余量，并且嚴格按照手冊PCBlayout或安裝散熱片。

用于AD2SXX RDC參考信號輸出的高電流緩沖器（圖1）

當輸入電壓足夠大，且有不產生飽和失真時，電路的分析如下圖3.2所示：圖中的I區為Q1的輸出特性，II區為Q2的輸出特性。

編輯：jq