6月17日午間，彭博社突然傳出消息，中國(guó)將加強(qiáng)對(duì)美國(guó)的芯片競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)將支持芯片研發(fā)和制造項(xiàng)目包括擬定一系列相關(guān)金融和政策扶持措施，幫助國(guó)內(nèi)芯片制造商克服美國(guó)制裁的影響。

據(jù)彭博社報(bào)道，該計(jì)劃已預(yù)留約1萬(wàn)億美元的政府資金，其中一部分將由中央和地方政府共同投資一系列第三代芯片項(xiàng)目，項(xiàng)目?jī)?nèi)容還包括發(fā)展中國(guó)大陸本土芯片設(shè)計(jì)軟件和極紫外光（EUV）光刻機(jī)。

雖然消息的可靠性存疑，且“一萬(wàn)億美元”的投資金額過(guò)于駭人，但是也側(cè)面反映了中國(guó)發(fā)展包括第三代半導(dǎo)體在內(nèi)的半導(dǎo)體尖端領(lǐng)域的決心！

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈可以簡(jiǎn)單分為從襯底到薄膜外延和器件制造，再到模組及終端應(yīng)用。襯底目前主要為SiC襯底和Si襯底兩種。通過(guò)在襯底上進(jìn)行外延及加工，可得到SiC器件、GaN-on-Si器件、GaN-on-SiC器件以及目前非主流的全氮化鎵器件，主要應(yīng)用于電子電力、微波射頻等領(lǐng)域。

隨著中國(guó)新基建的快速興起，中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模在未來(lái)幾年內(nèi)呈現(xiàn)噴薄式的發(fā)展。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、材料、設(shè)備與市場(chǎng)論壇2021將于6月23-24日在長(zhǎng)沙召開(kāi)。會(huì)議將探討全球與中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策與項(xiàng)目規(guī)劃，芯片產(chǎn)能供需與第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，SiC PVT長(zhǎng)晶技術(shù)&液相法的現(xiàn)狀及發(fā)展，新基建相關(guān)產(chǎn)業(yè)對(duì)第三代半導(dǎo)體的需求，SiC市場(chǎng)以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案，GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應(yīng)用等。

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