深紫外發光二極管（deep-ultraviolet light-emitting diode， DUV-LED）具有環保無汞、壽命長、功耗低、響應快、結構輕巧等諸多優勢。

近年來，深紫外LED技術取得了快速發展，主要體現在光效和可靠性不斷提高，這一方面得益于芯片制造過程中氮化物材料外延和摻雜技術的進步，另一方面歸功于深紫外LED封裝技術的發展。但是與波長較長的近紫外和藍光LED相比，深紫外LED的光效和可靠性仍有很大提升空間。

近日，華中科技大學彭洋博士、陳明祥教授和羅小兵教授在《發光學報》（EI、核心期刊）發表了題為“深紫外LED封裝技術現狀與展望”的綜述文章。該綜述重點對深紫外LED封裝關鍵技術進行了系統分析，包括封裝材料選擇、封裝結構設計、封裝工藝優化、反射光損耗抑制以及有效熱管理，同時從提高光效與器件可靠性角度闡述了深紫外LED封裝的最新研究進展，并對后續技術發展進行了展望。

1 引言

深紫外LED在殺菌消毒、生化檢測、醫療健康、隱秘通訊等領域具有重要應用價值。特別是在殺菌消毒領域，深紫外LED主要利用高能量紫外線照射微生物并破壞核酸結構，從而達到微生物滅活的目的。

相對于傳統殺菌消毒技術，深紫外LED具有殺菌效率高、適用性強、無化學污染物、操作簡單等優點，可廣泛應用于空氣、水體和物體表面消殺。近期，隨著新型冠狀病毒（COVID-19）在全球范圍內的傳播，深紫外LED消毒被認為是一種有效消滅新型冠狀病毒的方法，已用于公共場所、交通工具、個人防護等領域，為遏制新冠病毒傳播提供了科技支撐。

圖1 深紫外LED消毒應用：（a）公共電梯；（b）飛機機艙；（c）個人防護。

對于深紫外LED而言，從生產設備、材料外延、芯片制造到封裝都與近紫外和藍光LED存在較大差異，且由于成本高、光效與可靠性偏低，遠不能滿足應用需求。其中用于殺菌消毒的深紫外LED（波長為265～280 nm）外量子效率不足5%，嚴重影響了深紫外LED的應用效能。隨著深紫外LED發光波長逐漸縮短，高質量AlGaN材料外延和有效摻雜面臨著技術挑戰，同時也對器件封裝技術提出了更高要求。

深紫外LED封裝技術與目前白光LED封裝技術有所不同。具體而言，白光LED主要采用有機材料（環氧樹脂、硅膠等）進行封裝，但由于深紫外光波長短且能量高，有機材料在長時間深紫外光輻射下會發生紫外降解，嚴重影響深紫外LED的光效和可靠性。

為此，研究者提出了多種深紫外LED封裝技術，主要包括早期TO封裝技術、半無機封裝技術和全無機封裝技術。近年來，國內外研究者對深紫外LED封裝技術進行了深入研究，從封裝技術角度提高了深紫外LED的光效和可靠性，推動了深紫外LED技術發展。

圖2 深紫外LED封裝產品：（a）TO封裝；（b）半無機封裝；（c）～（d）全無機封裝。

2 深紫外LED封裝關鍵技術

（1） 封裝材料選擇

出光材料：LED出光結構一般采用透明材料實現光輸出和調節，同時對芯片和線路層起到保護作用。傳統有機材料耐熱性差、熱導率低、存在紫外降解等問題，難以滿足深紫外LED封裝需求。近年來，業界嘗試采用石英玻璃、藍寶石等無機透明材料來封裝深紫外LED。

相較而言，石英玻璃的物化性能穩定，在深紫外波段具有高透過率（＞90%），且機械強度高、耐熱性好、抗紫外線和氣密性高，成為深紫外LED封裝用透鏡材料的有效選擇。

散熱基板材料：LED散熱基板材料主要有樹脂類、金屬類和陶瓷類，其中樹脂類和金屬類基板均含有有機樹脂絕緣層，這會降低散熱基板的熱導率，影響基板散熱性能；而陶瓷類基板具有機械強度高、絕緣性好、導熱性高、耐熱性好、熱膨脹系數小等諸多優勢，是深紫外LED封裝用散熱基板的很好選擇。

焊接鍵合材料：深紫外LED焊接材料包括芯片固晶材料和基板焊接材料，分別用于實現芯片、玻璃蓋板（透鏡）與陶瓷基板間焊接。倒裝芯片常采用金錫共晶方式實現芯片固晶，強度高、界面質量好，且鍵合層熱導率高，降低了LED熱阻。玻璃蓋板與陶瓷基板間常采用焊料來實現可靠鍵合，但需要同時在玻璃蓋板和陶瓷基板表面制備金屬層，以滿足金屬焊接需求。

（2） 封裝結構設計

環境中的水蒸氣等有害氣體易對深紫外LED芯片和電路層造成破壞，影響其使用壽命及可靠性。為此，常采用含腔體的封裝結構用于深紫外LED封裝，主要包括TO封裝和采用三維玻璃蓋板或三維陶瓷基板的表面貼裝封裝結構。

其中，備受業界關注的是三維陶瓷基板封裝結構：將芯片貼裝在三維陶瓷基板腔體（圍壩）內的金屬焊盤上，同時利用石英玻璃作為封裝蓋板，再將玻璃蓋板與三維陶瓷基板鍵合（焊接），其關鍵在于三維陶瓷基板制備、玻璃蓋板與陶瓷基板間的高強度鍵合。

（3） 封裝工藝優化

深紫外LED封裝工藝主要包括固晶、打線（或倒裝共晶）和玻璃蓋板焊接（鍵合）。其中，玻璃蓋板鍵合是整個封裝工藝的關鍵環節，由于芯片已貼裝在基板腔體內，有必要采用低溫焊接工藝實現玻璃蓋板與三維陶瓷基板間可靠鍵合。

目前主要有低熔點焊料鍵合和低溫鍵合兩種方式。為了提高封裝效率，本課題組開發了深紫外LED板級封裝技術，首先將多顆芯片分別貼裝（固晶）在三維陶瓷基板各個圍壩內，再利用板級焊接完成玻璃蓋板與陶瓷基板間焊料鍵合，最后通過切割獲得多顆深紫外LED。

圖3 深紫外LED全無機板級封裝產品

（4） 反射光損耗抑制

在玻璃上、下表面存在菲涅爾反射損耗，同時在芯片上表面和側面存在菲涅爾反射損耗和全反射損耗。為了提高深紫外LED光效，有必要采用一些方法來抑制反射損耗，包括用于抑制菲涅爾反射的薄膜涂層、納米結構等，用于抑制全反射的半球形透鏡、表面粗化、納米顆粒摻雜封裝層等。

（5） 結溫和熱管理

深紫外LED光效相對較低，為了滿足應用需求，常采用多芯片集成封裝形式來獲得高光功率深紫外LED模組。但是，在追求高光功率密度的同時，單位面積熱流密度更大，熱量聚集造成深紫外LED結溫升高。

為此，可通過封裝結構優化和有效熱管理等方法來降低深紫外LED總熱阻，包括共晶鍵合、氮化鋁陶瓷基板、高導熱固晶材料、被動散熱（散熱翅片等）和主動散熱（風冷、水冷等），從而提高深紫外LED的散熱性能和可靠性。

3 深紫外LED封裝研究進展

評價深紫外LED性能好壞的主要指標有光效和可靠性，分別用于衡量深紫外LED光電轉換效率和使用壽命。在提高光效方面，近年來研究者主要圍繞半球形氟樹脂透鏡、表面粗化、納米顆粒摻雜封裝層等方面展開；在提高可靠性方面，研究者主要通過封裝結構優化和有效熱管理來強化深紫外LED散熱性能，包括減少鍵合層空洞率和熱阻、采用高導熱氮化鋁陶瓷基板、微流道水冷、熱電制冷等方法。

4 展望

目前，深紫外LED技術取得了長足的發展，但是與近紫外和藍光LED相比，深紫外LED仍面臨光效低、可靠性差和成本高等問題，尚難以滿足大規模應用需求。為了進一步提高深紫外LED光效和可靠性，深紫外LED封裝技術仍有許多值得研究的方向，包括但不限于：

（1） 新型封裝材料和封裝結構探索。研發耐紫外光、高紫外透過率和低溫固化的封裝材料，研發高導熱、高強度、低溫鍵合高溫服役的焊接材料，通過封裝結構設計與優化手段開發高光提取和高散熱的深紫外LED封裝結構，從而提高深紫外LED器件光熱性能。

（2） 高集成深紫外LED封裝工藝開發。未來深紫外LED必然向著大規模、多芯片、集成化、低成本等方向發展，有必要開發高集成深紫外LED封裝工藝來滿足深紫外LED發展需求，包括芯片到晶圓（C2W）、晶圓到晶圓（W2W）等板級封裝工藝。

（3） 深紫外LED封裝協同設計強化。目前，深紫外LED技術的各個環節間相互獨立，導致芯片設計、封裝技術和器件應用間相互脫節，使得最終深紫外LED難以滿足應用過程中的光學性能和可靠性需求。

因此，有必要對深紫外LED芯片、封裝和應用進行協同設計，在芯片設計、封裝技術和器件應用這三個階段間相互聯系和反饋，并利用仿真模擬、可靠性測試等手段對封裝性能進行優化分析，從而開發針對不同應用領域的深紫外LED器件。

作者：彭洋， 陳明祥， 羅小兵。

編輯：jq