日前，在中國工程院主辦的“中國工程院信息與電子工程前沿論壇”上，中國工程院院士吳漢明對光刻機、產業鏈國產化等關鍵問題進行了分析。

吳漢明認為，中國的集成電路產業當下主要面臨兩大壁壘：政策壁壘和產業性壁壘。前者包括巴統和瓦森納協議，后者則是世界半導體龍頭長期以來積累的專利，形成的專利護城河。

而在整個產業鏈環節，重點的三大“卡脖子”制造環節包括了工藝、裝備/材料、設計IP核/EDA。他表示，在半導體材料方面，我國光刻膠、掩膜版、大硅片產品幾乎都要依賴進口；在裝備領域，世界舞臺上看不到中國裝備的身影。

吳漢明強調，自主可控固然重要，但也要認識到集成電路產業是全球性的產業。以EUV光刻機為例，涉及到十多萬零部件，需要5000多供應商支撐，其中32%在荷蘭和英國，27%供應商在美國，14%在德國，27%在日本，這就體現了全球化技術協作的結果。在其中，“我們有哪些環節拿得住的？是我國研發和產業發展的核心點。”

除了設備方面，晶圓制造、芯片研發設計也是產業所面臨的難點。

“雖然芯片的難度和成本一直增加，但趨緩的摩爾定律給追趕者帶來機會。”吳漢明分析稱，在這些挑戰下，先進系統結構、特色工藝和先進封裝在芯片制造方面結合運用，芯片制造領域大有可為。

他援引數據稱，10納米節點以下先進產能占17%，83%市場在10納米以上節點，創新空間巨大。在先進制程研發不占優勢的情況下，我國可以運用成熟的工藝，把芯片的性能提升。也正是因此他提出一個觀點：本土可控的55nm芯片制造，比完全進口的7nm更有意義。

編輯：jq