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功率器件具體都要進(jìn)行哪些測試呢?

旺材芯片 ? 來源:旺材芯片 ? 作者:旺材芯片 ? 2021-03-29 15:27 ? 次閱讀
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1940年,貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測整流器時(shí),發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年,美國通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。

從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展,并快速成長為電子制造業(yè)的核心器件之一,還獨(dú)立成為電子電力學(xué)科。

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作為電能/功率處理的核心器件,功率半導(dǎo)體器件主要用于電力設(shè)備的電能變換和電路控制,更是弱電控制與強(qiáng)電運(yùn)行之間的溝通橋梁,主要作用是變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理,對設(shè)備正常運(yùn)行起到關(guān)鍵作用。

與此同時(shí),功率半導(dǎo)體器件還具有綠色節(jié)能功能,被廣泛應(yīng)用于幾乎所有的電子制造業(yè),目前使用領(lǐng)域正從傳統(tǒng)工業(yè)制造和4C產(chǎn)業(yè)向新能源、電力機(jī)車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展。

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隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展,功率分立器件的演進(jìn)路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFETIGBT,其中,IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品。

在半導(dǎo)體功率器件行業(yè)突飛猛進(jìn)的同時(shí),對應(yīng)的測試行業(yè)也得到了飛速的發(fā)展。

眾所周知,一顆消費(fèi)電子芯片最終做到終端產(chǎn)品上,一般需要經(jīng)過芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測試、封裝、成品測試、板級封裝等這些環(huán)節(jié)。

其中測試部分主要分三大類:芯片功能測試、性能測試、可靠性測試,芯片產(chǎn)品要上市三大測試缺一不可。

功能測試,是測試芯片的參數(shù)、指標(biāo)、功能,用人話說就是看你十月懷胎生下來的寶貝是騾子是馬拉出來遛遛。

性能測試,由于芯片在生產(chǎn)制造過程中,有無數(shù)可能的引入缺陷的步驟,即使是同一批晶圓和封裝成品,芯片也各有好壞,所以需要進(jìn)行篩選。

可靠性測試,芯片通過了功能與性能測試,得到了好的芯片,但是芯片是否容易被靜電弄壞,在雷雨天、三伏天、風(fēng)雪天能否正常工作,以及芯片能用一個(gè)月、一年還是十年等等,這些都要通過可靠性測試進(jìn)行評估。

測試方法包括板級測試、晶圓CP測試、封裝后成品FT測試、系統(tǒng)級SLT測試、可靠性測試等,多策并舉。

而半導(dǎo)體功率器件,從研發(fā),生產(chǎn),后期使用,甚至產(chǎn)品維修都需要進(jìn)行相應(yīng)的電參數(shù)測試。

那功率器件具體都要進(jìn)行哪些測試呢?

(1) 靜態(tài)參數(shù)測試:最基本的測試項(xiàng)目,可簡單的評估器件的性能好壞。

各種靜態(tài)參數(shù)為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)、同時(shí)在變頻器,焊機(jī),軌道交通中的功率器件檢測維修,發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。

(2)動(dòng)態(tài)參數(shù)測試:動(dòng)態(tài)參數(shù)的優(yōu)良決定著器件的開關(guān)性能。

通常我們希望功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度盡可能得高、開關(guān)過程短、損耗小。但是在實(shí)際應(yīng)用中,影響開關(guān)特性的參數(shù)有很多,如續(xù)流二極管的反向恢復(fù)參數(shù),柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在,所以針對于此類參數(shù)的測試,變得尤為重要。開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性。直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確的測量功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)性能具有極其重要的意義。

(3)極限能力測試:如浪涌電流測試,雪崩能量測試。

浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。雪崩耐量即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量。

(4)老化可靠性壽命測試:為了保證產(chǎn)品的耐久性能,也就是產(chǎn)品使用的壽命。半導(dǎo)體功率器件廠家在產(chǎn)品定型前都會(huì)做一系列的可靠性試驗(yàn),以確保產(chǎn)品的長期耐久性能。

陜西開爾文測控技術(shù)有限公司成立于 2012 年,位于西安市高新區(qū)發(fā)展大道26號,是國內(nèi)自主研發(fā)高端大功率新型半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)及測試技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),致力于新型器件(SiC, GaN,石墨烯等)材料分析、元器件檢測、可靠性評測、系統(tǒng)功能驗(yàn)證等服務(wù)。

目前,測試系統(tǒng)及測試技術(shù)服務(wù)已深入國內(nèi)各大院校、航天、航空、兵器、中船、電子行業(yè)等,尤其是電力設(shè)備、電動(dòng)汽車、軌道交通領(lǐng)域的動(dòng)力車組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造等行業(yè),得到了廣泛的應(yīng)用。

此外,公司依托CASA(第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟) ,聯(lián)合西安電子科技大學(xué),中科院微電子所等高校研究院所,成立新型半導(dǎo)體器件研究實(shí)驗(yàn)室,致力于中國第三代新型( SiC GaN石墨烯)器件測試、可靠性實(shí)驗(yàn)、材料分析等服務(wù),同時(shí)兼顧現(xiàn)有Si基產(chǎn)品相關(guān)實(shí)驗(yàn)。目前,公司已通過CNAS實(shí)驗(yàn)室認(rèn)證。

公司自成立以來,以技術(shù)強(qiáng)項(xiàng)和高端產(chǎn)品的實(shí)力,獲得了7項(xiàng)軟件著作權(quán)登記證書、11項(xiàng)實(shí)用新型專利,通過了陜西省民營科技企業(yè)認(rèn)證、西安市民營科技企業(yè)認(rèn)證、獲得了技術(shù)貿(mào)易資格認(rèn)證、通過了ISO14001環(huán)境管理體系認(rèn)證、OHSAS18001職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證、ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證,通過了陜西省高新企業(yè)認(rèn)證,并在2016年,以《高速特大功率半導(dǎo)體器件IGBT測試系統(tǒng)》列入陜西省科技廳戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重大產(chǎn)品項(xiàng)目,項(xiàng)目編號2016KTCQ01-31。

公司主營產(chǎn)品

靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、可靠性參數(shù)測試系統(tǒng)、靜態(tài)參數(shù)測試適配器、靜態(tài)參數(shù)測試夾具、測試軟件、SiC/GaN全系列電參數(shù)測試系統(tǒng)、CNAS實(shí)驗(yàn)室測試服務(wù)、新型材料、器件研發(fā)。

碳化硅器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

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特大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試與分析系統(tǒng)

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碳化硅器件浪涌電流測試系統(tǒng)

功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測試系統(tǒng)

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少子壽命測試儀

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責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:功率半導(dǎo)體器件測試分哪些?和消費(fèi)電子芯片測試有什么區(qū)別?

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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