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ASML帶來了長(zhǎng)期問題

電子工程師 ? 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2021-03-14 11:15 ? 次閱讀
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數(shù)據(jù)顯示,EUV光刻機(jī)收入占ASML收入的百分比從2016年的7%增加到2020年的45%。預(yù)計(jì)到2023年,ASML公司的EUV光刻機(jī)帶來的收入將比2020年的收入翻一番。

根據(jù)我們題為“ Sub 100nm光刻:市場(chǎng)分析和戰(zhàn)略問題”的報(bào)告,ASML的EUV收入在2020財(cái)年超過了其DUV浸沒式設(shè)備的收入。根據(jù)我對(duì)2021年和2022年的預(yù)測(cè),兩者之間的差距正在擴(kuò)大。

基于趨勢(shì)線,ASML的193nm DUV immersion系統(tǒng)的單位份額已基本持平或略有下降。請(qǐng)注意,佳能沒有制造immersion系統(tǒng)。

為什么這很重要?在引入EUV系統(tǒng)之前,最先進(jìn)的IC是使用DUV浸沒式光刻系統(tǒng)制造的。這些DUV系統(tǒng)在193nm的光波長(zhǎng)下無法到達(dá)7nm節(jié)點(diǎn),因此EUV取代了在7nm及以下節(jié)點(diǎn)上的DUV浸入。

由于兩個(gè)非常重要的原因,這為ASML帶來了長(zhǎng)期問題:

首先,目前只有兩家公司生產(chǎn)7nm及以下的IC ——臺(tái)積電和三星電子代工邏輯芯片。

根據(jù)我的分析,在2020年之前售出的近86個(gè)EUV邏輯系統(tǒng)中,TSMC購買了44個(gè)系統(tǒng),而三星購買了19個(gè)。英特爾購買了18個(gè)。唯一一家有意購買EUV系統(tǒng)的公司是中國(guó)的中芯國(guó)際,但該公司因美國(guó)的制裁而被禁止購買任何產(chǎn)品。

其次,臺(tái)積電和三星僅將EUV用于少數(shù)芯片層,而將DUV用于其余部分,因此這兩種類型的系統(tǒng)都需要7nm及以下的波長(zhǎng)。掩膜層的數(shù)量隨著節(jié)點(diǎn)的減少而增加。

一個(gè)28nm的IC最多可以有50層掩膜,一個(gè)14nm / 10nm的IC最多可以有60個(gè)層,一個(gè)7nm的IC有80層掩膜,5nm IC有100層掩膜,具體取決于制造商。

臺(tái)積電在7nm處僅使用12層EUV,而使用68層DUV。臺(tái)積電在5nm處用了22層EUV與78 層。沉浸式DUV對(duì)制造這些芯片至關(guān)重要,而ASML在這個(gè)市場(chǎng)正在被尼康狙擊。

我看好ASML,主要是因?yàn)樗鲗?dǎo)了光刻市場(chǎng)。如果沒有其主要產(chǎn)品EUV,半導(dǎo)體行業(yè)將被困在7nm。

由于ASML已成為一家遷移到以EUV為主的公司,但99%的半導(dǎo)體公司不使用EUV。他們需要的是i-line,248nm DUV和193nm浸入式和干式DUV等光科設(shè)備。

EUV僅占ASML單位出貨量的12%,但占收入的45%。確實(shí),其主要客戶臺(tái)積電(TSMC)在2020年的7nm和更低的節(jié)點(diǎn)產(chǎn)量中產(chǎn)生了其收入的41%,高于2019年的27%。

對(duì)于臺(tái)積電而言,EUV在7納米及以下的收入在2020年產(chǎn)生了190億美元,高于90億美元。但即使到2019年,2020年10nm及以上的收入也將達(dá)到260億美元。

此外,還有兩個(gè)主要問題:

EUV僅用于7nm IC的少量層上,絕大部分層在TSMC和Samsung上用DUV浸沒式光刻來描繪圖案。

ASML在非EUV光刻系統(tǒng)(主要是浸沒DUV)中所占的份額持平或略有下降。

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)宣布,2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額為4390億美元,比2019年的4123億美元增長(zhǎng)6.5%。

因此,2020年臺(tái)積電為EUV節(jié)點(diǎn)提供的190億美元僅占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的4.3%,高于2019年的2.2%。換句話說,即使三星的EUV節(jié)點(diǎn)芯片意味著超過90%的半導(dǎo)體不需要EUV 。

根據(jù)我的分析,ASML在佳能和尼康市場(chǎng)上的收入份額在過去四年中一直徘徊在89%左右。

ASML還限于它們可以制造的數(shù)量,只有三個(gè)邏輯和三個(gè)DRAM公司,三星(邏輯+ NAND),臺(tái)積電(邏輯),英特爾(邏輯),SK海力士(NAND)和MU(NAND)購買它們。

ASML的193nm浸入式(ArF)從2018年的95%份額下降到2019年的88%份額,到2020年下降到85%份額。自2013年以來,趨勢(shì)線略微為負(fù)。尼康是浸入式DUV領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,其在該領(lǐng)域的份額得以保持并略有增長(zhǎng)。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:ASML的隱患暴露了

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