華米科技：第三代自研可穿戴芯片將發布
在日前的極客公園·創新大會2021上，小米生態鏈企業，華米科技創始人、董事長兼CEO黃汪透露，華米科技自研的第三代可穿戴芯片將很快推出。
2018年，華米發布了全球智能可穿戴領域首款自研人工智能芯片「黃山1號量，該芯片集成了神經網絡加速模塊和AON（Always On）模塊，能夠提高本地處理AI任務的效率，自動收集傳感器數據。
2020年6月，華米宣布推出黃山2號芯片，該芯片依然基于RISC-V架構打造，首次加入c2協處理器，本地計算能力大大提升，整體功耗降低50%。
2020年10月，華米科技宣布，和小米公司的戰略合作協議將再延長三年。根據這一延長條款，在發展小米可穿戴產品方面，華米將保持現有的最優合作伙伴地位。根據協議，雙方還將在可穿戴設備的AI芯片和算法的研發方面，建立最優戰略合作伙伴關系。
當前，智能可穿戴市場正處于高速增長期。據Gartner數據顯示，預計全球2020年可穿戴設備的總銷售額為690億美元，同比增長49%;2021年、2022年的銷售額將分別達到815億美元、939億美元。
黃汪表示，「手環的量很大，雖然自研芯片投入高，但攤薄在每一個產品中的成本就會降低。」隨著芯片工藝的提升，做芯片的投入也越來越大，但這是企業必不可少的核心能力。
責編AJX
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
463文章
54010瀏覽量
466069 -
可穿戴設備
+關注
關注
55文章
3885瀏覽量
170084 -
華米科技
+關注
關注
0文章
101瀏覽量
10396
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
第三代特斯拉人形機器人將亮相，預計年產百萬臺
2月2日，特斯拉官方微博發布消息稱，第三代特斯拉人形機器人，即將正式亮相。據官方消息，新機完全跳出現有供應鏈體系，從第一性原理出發重新設計，不用復雜編程，觀察人類行為、聽口頭指令甚至看段視頻，就能自主執行任務。
龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺
今天，龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發的全新第三代（G3） 超結 MOSFET技術平臺。
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導體器件的動態特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規模、封裝設計及市場定位等多重因素影響，整體呈現“高技術投入與規模化降本并存”的特征。一、成本構成：核心
發表于 12-25 09:12
CINNO出席第三代半導體產業合作大會
10月25日，第三代半導體產業合作大會在鹽城高新區召開。省工業和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區委書記馬正華出席，鹽都區委副書記、區長臧沖主持會議。
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章：B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術認知
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現，正在成為半導體領域的重要發展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術發揮著不可或缺的作用
第三代半導體的優勢和應用領域
）和碳化硅（SiC），它們在電力電子、射頻和光電子等領域展現出卓越的性能。本文將詳細探討第三代半導體的基本特性、優勢、應用領域以及其發展前景。
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析（1）
隨著AI技術井噴式快速發展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
英飛凌發布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經歷兩代產品的迭代之后應運而生。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產在即
電子發燒友網綜合報道?消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產進程，將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術在于將負極材料由傳統石墨替換為硅材料
工商網監
評論