1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“納維科技”）總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。

項目占地面積超14000平方米，總建筑面積超34000平方米，將建設成為國際前三的氮化鎵（GaN）單晶襯底研發基地與高端產品生產基地，預計年產氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。

據蘇州納米城消息，該公司實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸產品的關鍵核心技術，成為國內唯一一家能夠同時批量提供2英寸高導電、半絕緣氮化鎵單晶的企業，產品性能國際領先，并先后獲得蘇州市首屆姑蘇雙創人才、園區首批科技領軍人才企業等榮譽。

納維科技董事長徐科表示，“我們將一如既往、繼續深耕細作，努力實踐每畝200萬元稅收的先行先試，打造出國際前三的GaN單晶襯底的研發基地與高端產品生產基地！”

目前，蘇州工業園區已培育了納維科技等一批創新勢頭強勁的企業，第三代半導體上、中、下游產業鏈規模初顯；集聚了全國80%的氮化鎵領域“國家級重點人才”，掌握了一批核心自主知識產權，已成為國內最具影響力的人才和技術高地。

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