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Intel Xe HPC芯片的內部照片曝光: 雙芯、7種工藝

工程師鄧生 ? 來源:驅動之家 ? 作者:驅動之家 ? 2021-01-27 16:05 ? 次閱讀
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Intel Xe獨立顯卡正在穩步推進,分為四種不同架構分路出擊。

其中,基于Xe LP低功耗架構的核顯版、移動獨顯版、桌面獨顯版都已經發布出貨。

高性能的有Xe HPG、Xe HP、Xe HPC多種版本,全面覆蓋游戲、高性能計算、數據中心、人工智能等各種領域,Xe HPG已經點亮,Xe HP正在試產,Xe HPC在開發之中。

Intel高級副總裁、首席架構師、架構圖形與軟件總經理Raja Koduri今天曝出猛料,第一次公布了Xe HPC芯片的內部照片,并透露它已經準備好點亮(Power On),而且在統一封裝內應用了多達7種不同的芯片技術——應該是包含多種制造工藝、封裝工藝。

雖然沒有任何描述,但是從照片上看,這款Xe HPC芯片采用了2-Tile雙芯封裝的方式,各自應該有8個計算核心,但不清楚又分為多少執行單元,而在外部則是總共8顆HBM顯存堆棧,角落里還有一個用途不明的芯片,疑似獨立緩存或互連模塊。

Intel早在2019年底就宣布了第一個基于Xe HPC架構的產品,代號“Ponte Vecchio”,7nm工藝制造,Foveros 3D、Co-EMIB混合封裝,支持HBM顯存、CXL高速互連等、Ramo一致性緩存技術,面向HPC高性能計算、AI人工智能等領域。

Raja聲稱,Xe HPC架構擴展性極強,可以輕松做到1萬個執行單元,每個單元都是全新設計,FP64雙精度浮點性能是現在的40倍,通過XEMF(Xe Memory Fabric)總線連接HBM顯存,而且CPUGPU都能訪問Rambo緩存。

根據Intel去年公布的最新資料,Xe HPC芯片中的基礎模塊(Base Tile)采用Intel 10nm SuperFin工藝,計算模塊(Compute Tile)同時采用Intel下一代工藝(7nm?)和第三方工藝(臺積電7nm?),Rambo緩存模塊使用Intel 10nm SuperFin增強版工藝,Xe Link I/O互連輸入輸出模塊則是第三方工藝。

先比之下,Xe LP都是10nm SuperFin,Xe HP都是10nm SuperFin增強版,Xe HPG則是外包。

責任編輯:PSY

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