【編者按】2021中國IC風云榜“年度最佳技術突破獎”征集現已啟動！入圍標準深耕半導體某一細分領域，從技術產品主要性能和指標（20%）、技術突破創新性（30%）、應用市場（20%）、銷售情況（30%）四個維度進行。評選將由中國半導體投資聯盟129家會員單位及400多位半導體行業CEO共同擔任評選評委。獎項的結果將在2021年1月份中國半導體投資聯盟年會暨中國IC風云榜頒獎典禮上揭曉。

本期候選企業：廈門市三安集成電路有限公司（以下簡稱“三安集成”）

伴隨5G、物聯網等市場興起，化合物半導體也迎來新的風口。三安光電于2014年5月投資30億元成立的三安集成，主要從事化合物半導體微波集成電路、光技術芯片和功率電子元件的研發、制造和服務。

將化合物半導體制造平臺從LED外延片、芯片，橫向拓展到射頻、光技術和電力電子領域，三安光電有其先天優勢。

三安光電具備20多年的化合物半導體制造經驗，擁有規模化外延生長的管理經驗與優勢。基于對III-V族化合物材料的熟悉，得以將砷化鎵、氮化鎵等LED芯片主要的材料和工藝，快速拓展到微波射頻集成電路（MMIC）代工制造和光通訊芯片制造領域，并成功進入國內龍頭企業的供應鏈。作為三安光電的全資子公司，三安集成是中國首家6英寸化合物半導體晶圓代工廠。也正是三安集成，將三安光電帶入全新的第二賽道。

三安集成預見第三代半導體材料尤其是碳化硅的市場潛力，于2020年7月在湖南長沙布局第三代半導體業務，總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業生產基地。項目建成達產后將形成超百億元的產業規模，并帶動上下游配套產業產值預計逾千億元。由此建立起橫跨材料和市場的化合物半導體大制造平臺。

目前，三安集成已通過ISO9001國際質量管理體系認證和IATF16949汽車行業質量管理體系認證，并積極投身國際行業標準制定，是JEDEC JC-70寬禁帶功率半導體標準委員會成員。

在迎接新機遇的同時，三安集成也在積極打磨自身技術，筑高護城河。截至目前，三安集成專利和核心技術主要集中在制造工藝層面，擁有近百項覆蓋外延生長、芯片制造授權專利。

2020年，三安集成在多個技術領域也取得了突破。

在RF（射頻）領域，三安集成開發了H20HG6 砷化鎵HBT制程工藝，該技術可應用于3G/4G, Sub-6G, WLAN 功放器件，目前已成功應用在手持通訊終端的功放器件。同時，2020年四季度Duplexer濾波器出貨量超過10kk。

在光技術領域，三安集成今年還推出了25G CWDM DFB芯片系列，其在外延結構等重要技術環節做了特殊的設計，使得25G DFB 在高溫條件下具備更好的可靠性，結合高帶寬特性，三安集成成為世界上少數可以提供100G/200G LR4 的25G DFB應用的供應商之一。

在電力電子領域，三安集成碳化硅MPS肖特基二極管全系列650V和1200V產品采用混合PiN肖特基二極管（MPS）設計，能提供更好的可靠性和魯棒性；今年12月更完成碳化硅MOSFET量產平臺的打造，首發1200V 80mΩ MOSFET產品已完成研發并通過一系列產品性能和可靠性測試。得益于其產品特性，三安集成碳化硅功率器件產品可廣泛應用于牽引驅動、車載充電、新能源逆變、工業電源、數據中心、PFC、UPS等多領域。

在2021年，三安集成會持續產能擴張，以滿足市場的增速需求，泉州基地和長沙項目都會在未來支撐起三安大規模制造平臺的優勢地位。

原文標題：【中國IC風云榜年度技術突破公司候選3】三安集成：加速技術突破，化合物半導體廣泛布局

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責任編輯：haq