條形激光器可以在Y方向上對注入電流進行限制，也可以對光起到限制作用。從而降低閾值電流。常見的三種條形激光器：

三種條形的區別是：第一個直接采用介質膜做出條形金屬接觸形狀。

第二個是挖掉一部分P砷化鎵接觸層，但是離量子阱還有點距離。

第三個是直接挖到N砷化鎵，然后填充介質膜，把發光有源層都埋進去。

條形結構對電流的現在作用是顯而易見的，但是對光的限制，可能有點繞。

條形結構就是想在芯片的Ｙ方向上，也做出類似ｘ方向的波導結構出來。電極條看起來似乎沒有波導。

其實由于電流的限制形成了載流子濃度在ｙ方向上的不均勻，從而造成了復數折射率的不均勻，也就是說增益本身就可以使它的中間部分產生波導作用，稱為增益導引，由于折射率引起的導引稱之為折射率導引，因為電流是向條形電極的兩邊擴散的，一般我們用拋物線來描述復數折射率的變化。

在電極條形中由于折射率的實數部分是隨著載流子的濃度的增加而降低的，上圖ａ中折射率變化實際是負的，有一定的反波導作用，但由于增益波導的作用比較強，總的效果是對光仍有限制作用。

增益導引的缺點是他會造成模式的不穩定，因為當受激發射發生以后，載流子會大量地復合掉而改變載流子在ｙ方向的分布，從而改變了增益在ｙ方向上的分布，所以一般來說吧，脊條形中光的模式要比在電極條形中的穩定。

因為條寬比作用區寬度大很多，波導的截面是矩形的，激光器諧振腔鏡面上的光強分布，稱之為激光器的近場圖，可以看出，隨著條寬的增加，高次模開始出現，并逐漸增多。如下圖

實際中更多的采用是第二種條形結構，因為第三種刻蝕起來有點麻煩，需要刻蝕量子阱層，這就要和Ｐ砷化鎵分開刻蝕，采用第二道工藝，帶來設備成本和工藝成本，且可能破壞量子阱區域的晶格結構等，帶來不穩定因素。

原文標題：激光器芯片的條形結構

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責任編輯：haq