美國美光科技開始提速EUV DRAM。加入到三星電子、SK海力士等全球第一、第二EUV廠商選擇的EUV陣營后，后續EUV競爭或將更為激烈。

根據韓媒etnews報道，美光科技通過多個網站開始招聘EUV設備開發負責工程師。美光的公告顯示：招聘負責美光EUV設備Scaner技術開發，管理EUV系統和與ASML的溝通的人才。工作地點為美光總部美國愛達荷州的博伊西。

美光是繼三星電子和SK海力士之后，以20%的全球市占率排第三的DRAM廠商。本月初時美光臺灣DRAM工廠還因停電一小時導致工廠停產。截止到3季度時較好業績備受業界矚目。且在Nand Flash領域，也率先發布了全球首款176層產品。

美光在全球DRAM市場中排名第三，僅次于三星電子和SK Hynix。它的市場份額約為20％。

美光最近在NAND閃存領域首次推出了176層產品。與其他頂級DRAM制造商一樣，該公司正在生產10納米第三代（1z）產品。預計該芯片制造商將在2021年上半年推出第四代（1a）DRAM。

但是，美光與三星電子和SK海力士之間的主要區別在于，美光不會將EUV技術應用于1a DRAM。

美光公司在最近的一份聲明中建議，鑒于高成本和技術局限性，它甚至可能不會將EUV技術應用于下一代DRAM“ 1-beta”產品。

美光公司副總裁Scott DerBauer表示，該公司將在1-delta產品的生產中引入EUV工藝。

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