国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

首臺(tái)大尺寸集成電路單晶硅生長設(shè)備試產(chǎn)成功

21克888 ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:綜合報(bào)道 ? 2020-12-28 09:14 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

我國首臺(tái)新一代大尺寸集成電路單晶硅生長設(shè)備在西安實(shí)現(xiàn)一次試產(chǎn)成功。這是由西安理工大學(xué)和西安奕斯偉設(shè)備技術(shù)有限公司共同研制的。本次制成的單晶硅棒長度為 2.1 米,直徑達(dá) 300mm,也就是 12 英寸,標(biāo)志著我國芯片制造領(lǐng)域中,12 英寸硅晶圓關(guān)鍵技術(shù)得到突破,解決了 “卡脖子”難題。


根據(jù)科技日報(bào)報(bào)道,該項(xiàng)目研發(fā)由西安理工大學(xué)劉丁教授的團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)。劉丁教授在半導(dǎo)體硅單晶生長領(lǐng)域精耕細(xì)作多年,先后主持承擔(dān)了多個(gè)國家科技重大專項(xiàng)、國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等,近年來取得了技術(shù)突破,獲得了一批標(biāo)志性成果。

根據(jù)奕斯偉的介紹,硅單晶棒的制作首先需要將高純多晶硅放入石英坩堝,加熱至1400℃以上,融化成硅溶液,再把籽晶浸入硅熔液,經(jīng)過引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑生長、收尾等步驟,完成一根單晶硅棒的拉制。在單晶硅棒產(chǎn)出后,將晶棒切割成 300~400 毫米長的硅塊,之后采用線切割得到厚度約 1 毫米的薄片,再對其進(jìn)行拋光、清洗加工,得到高品質(zhì)的拋光片。


西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司是國內(nèi)大型單晶硅制造骨干企業(yè),2018 年起與西安理工大學(xué)劉丁教授的團(tuán)隊(duì)合作。該公司能夠制造無位錯(cuò)、無原生缺陷、超平坦和優(yōu)良納米形貌的 12 英寸硅片,用于 28nm 以下集成電路芯片的制作。此外,公司還提供硅片加工、清洗及外延等服務(wù)。

目前,奕斯偉在西安擁有一座硅產(chǎn)業(yè)基地,分兩期進(jìn)行建設(shè),一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能 50 萬片 / 月。本次大型單晶硅生長設(shè)備的成功制作,有利于滿足我國在集成電路發(fā)展的迫切需要,擺脫受制于人的情況。

本文由電子發(fā)燒友綜合報(bào)道,內(nèi)容參考自科技日報(bào)、it之家,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5452

    文章

    12571

    瀏覽量

    374518
  • 單晶硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    194

    瀏覽量

    29301
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    集成電路制造中薄膜生長設(shè)備的類型和作用

    薄膜生長設(shè)備作為集成電路制造中實(shí)現(xiàn)材料沉積的核心載體,其技術(shù)演進(jìn)與工藝需求緊密關(guān)聯(lián),各類型設(shè)備通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化與機(jī)理創(chuàng)新持續(xù)突破性能邊界,滿足先進(jìn)節(jié)點(diǎn)對薄膜均勻性、純度及結(jié)構(gòu)復(fù)雜性的嚴(yán)苛要
    的頭像 發(fā)表于 03-03 15:30 ?73次閱讀
    <b class='flag-5'>集成電路</b>制造中薄膜<b class='flag-5'>生長</b><b class='flag-5'>設(shè)備</b>的類型和作用

    集成電路制造中薄膜生長工藝的發(fā)展歷程和分類

    薄膜生長集成電路制造的核心技術(shù),涵蓋PVD、CVD、ALD及外延等路徑。隨技術(shù)節(jié)點(diǎn)演進(jìn),工藝持續(xù)提升薄膜均勻性、純度與覆蓋能力,支撐銅互連、高k柵介質(zhì)及應(yīng)變器件發(fā)展。未來將聚焦低溫沉積、三維結(jié)構(gòu)適配與新材料集成,實(shí)現(xiàn)性能與可靠
    的頭像 發(fā)表于 02-27 10:15 ?320次閱讀
    <b class='flag-5'>集成電路</b>制造中薄膜<b class='flag-5'>生長</b>工藝的發(fā)展歷程和分類

    一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

    天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅,以此制造集成電路單晶硅對純度要求極高,需達(dá)到99.9999999%(即9個(gè)9)以上,且原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列
    的頭像 發(fā)表于 09-17 16:13 ?1361次閱讀
    一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

    深入剖析單晶硅生長方法

    科技進(jìn)步和對高效智能產(chǎn)品需求的增長進(jìn)一步奠定了集成電路產(chǎn)業(yè)在國家發(fā)展中的核心地位。而半導(dǎo)體硅單晶作為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基石,其對促進(jìn)技術(shù)革新和經(jīng)濟(jì)增長起到至關(guān)重要的作用。
    的頭像 發(fā)表于 08-21 10:43 ?1663次閱讀
    深入剖析<b class='flag-5'>單晶硅</b>的<b class='flag-5'>生長</b>方法

    單晶硅清洗廢液處理方法有哪些

    很多人接觸過,或者是存在好奇與疑問,很想知道的是單晶硅清洗廢液處理方法有哪些?那今天就來給大家解密一下,主流的單晶硅清洗廢液處理方法詳情。物理法過濾:可去除廢液中的大顆粒懸浮物、固體雜質(zhì)等,常采用砂
    的頭像 發(fā)表于 06-30 13:45 ?607次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>清洗廢液處理方法有哪些

    與其他材料在集成電路中的比較

    與其他半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的比較可從以下維度展開分析。
    的頭像 發(fā)表于 06-28 09:09 ?1794次閱讀

    晶片機(jī)械切割設(shè)備的原理和發(fā)展

    通過單晶生長工藝獲得的單晶硅錠,因材質(zhì)硬脆特性,無法直接用于半導(dǎo)體芯片制造,需經(jīng)過機(jī)械加工、化學(xué)處理、表面拋光及質(zhì)量檢測等一系列處理流程,才能制成具有特定厚度和精度要求的硅片。其中,
    的頭像 發(fā)表于 06-06 14:10 ?901次閱讀
    晶片機(jī)械切割<b class='flag-5'>設(shè)備</b>的原理和發(fā)展

    單晶片電阻率均勻性的影響因素

    直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶硅的過程,沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率
    的頭像 發(fā)表于 05-09 13:58 ?1662次閱讀
    硅<b class='flag-5'>單晶</b>片電阻率均勻性的影響因素

    中國集成電路大全 接口集成電路

    資料介紹本文系《中國集成電路大全》的接口集成電路分冊,是國內(nèi)第一次比較系統(tǒng)地介紹國產(chǎn)接口集成電路的系列、品種、特性和應(yīng)用方而知識(shí)的書籍。全書共有總表、正文和附錄三部分內(nèi)容。總表部分列有國產(chǎn)接口
    發(fā)表于 04-21 16:33

    TSSG法生長SiC單晶的原理

    可能獲取滿足化學(xué)計(jì)量比的SiC熔體。如此嚴(yán)苛的條件,使得通過傳統(tǒng)的同成分SiC熔體緩慢冷卻凝固的熔體法來生長SiC單晶變得極為困難,不僅對設(shè)備的耐高溫、耐壓性能要求近乎苛刻,還會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)成本飆升,
    的頭像 發(fā)表于 04-18 11:28 ?1281次閱讀
    TSSG法<b class='flag-5'>生長</b>SiC<b class='flag-5'>單晶</b>的原理

    芯片制造中的多晶介紹

    多晶(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數(shù)微小晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如襯底)不同,多晶
    的頭像 發(fā)表于 04-08 15:53 ?4363次閱讀
    芯片制造中的多晶<b class='flag-5'>硅</b>介紹

    N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響

    本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 16:46 ?1537次閱讀
    N型<b class='flag-5'>單晶硅</b>制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響

    半導(dǎo)體芯片集成電路工藝及可靠性概述

    半導(dǎo)體芯片集成電路(IC)工藝是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心,涉及從材料到復(fù)雜電路制造的多個(gè)精密步驟。以下是關(guān)鍵工藝的概述:1.晶圓制備材料:高純度單晶硅(純度達(dá)99.9999999%),通過
    的頭像 發(fā)表于 03-14 07:20 ?1982次閱讀
    半導(dǎo)體芯片<b class='flag-5'>集成電路</b>工藝及可靠性概述

    集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程

    本文介紹了集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程,并詳細(xì)介紹了鈮酸鋰光子集成技術(shù)和和鈮酸鋰復(fù)合薄膜技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 15:21 ?1948次閱讀
    <b class='flag-5'>集成電路</b>和光子<b class='flag-5'>集成</b>技術(shù)的發(fā)展歷程

    天水華天傳感器推出CYB6200系列單晶硅壓力變送器 為工業(yè)測量保駕護(hù)航

    ? ? 在石油化工、電力能源等高精度測量領(lǐng)域,穩(wěn)定與可靠是核心訴求。天水華天傳感器推出的CYB6200系列單晶硅壓力變送器,以±0.075%超高精度、超強(qiáng)抗干擾、高過載性能及智能組態(tài)功能,為工業(yè)測量
    的頭像 發(fā)表于 03-08 16:51 ?1597次閱讀