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臺積電宣布將在2023推3nm Plus工藝

如意 ? 來源:鎂客maker網(wǎng) ? 作者:家衡 ? 2020-12-18 14:07 ? 次閱讀
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除了臺積電與三星以外,英特爾也表現(xiàn)出對3nm的極大期望。

日前,臺積電官方正式宣布,將在2023年推出3nm工藝的增強版,該工藝將被命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶依然是蘋果。按蘋果一年更新一代芯片的速度,屆時使用3nm Plus工藝的將是“A17”芯片。

臺積電官方并未透露出3nm Plus工藝的詳細信息,從以往的升級可以推測,3nm Plus將比3nm擁有更多的晶體管密度以及更低功耗。

參照臺積電此前公布的3nm工藝,晶體管密度提升了70%。相比較5nm工藝,3nm工藝將減少25~30%的功耗,并且?guī)?0~15%的性能提升。

臺積電宣布將在2023推3nm Plus工藝

在今年九月,臺積電就公布其3nm工藝量產(chǎn)目標(biāo),2022年下半年的單月生產(chǎn)能力上升到5.5萬張,到2023年的單月上升到10萬張。同時,蘋果已經(jīng)包攬下最早一批3nm產(chǎn)能。

而三星一直希望在3nm工藝上實現(xiàn)對臺積電的反超。在核心技術(shù)方面,三星的3nm將改用Gate-All-Around(GAA,環(huán)繞柵極晶體管),臺積電則堅持使用FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)。三星也希望搶在明年就推出3nm產(chǎn)品,這也給臺積電極大的壓力。

目前來看,3nm工藝將成為各家晶圓代工廠競爭的關(guān)鍵點,除了臺積電與三星以外,英特爾也表現(xiàn)出對3nm抱有極大期望,并且在5nm工藝階段就放棄FinFET,轉(zhuǎn)向GAA。
責(zé)編AJX

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