據數據統計，2018年進口半導體金額為3800多億，其中近三分之一來源于存儲器產品，其中大部分都是從韓國廠商進口的。近兩年，在國家政策的扶持以及廠商自研芯片的熱潮下，逐漸有了起色，國內存儲廠商，如兆易創新等不斷向存儲市場更廣的領域布局。

12月10-11日，在第26屆中國集成電路設計業2020年會暨重慶集成電路產業創新發展高峰論壇（ICCAD 2020）在重慶召開，兆易創新受邀參加此次ICCAD，兆易創新FLASH BU市場部經理薛霆發表了《新成熟工藝下的SPI NOR和SLC NAND》的演講。

據悉，兆易創新成立于2005，是一家領先的無晶圓廠半導體公司，致力于開發先進的存儲器技術和IC解決方案。在2016年上市后，兆易創新憑借自身的不斷開拓和資本的力量，發展成為集存儲器、微控制器、傳感器于一體的領先的半導體解決方案供應商。

據了解，目前兆易創新的存儲器產品主要分為SPI NOR、SLC NAND和DRAM。NOR是代碼型存儲芯片，這也是兆易創新第一顆產品，SLC NAND是數據型存儲芯片，DRAM是更高級別的系統級存儲芯片。

存儲業務發展迅猛

上市次年，國家大基金入股兆易創新并成為其第二大股東，同年10月，兆易創新與合肥產投簽訂先進DRAM合作項目，DRAM業務開始。

近年來，隨著TWS耳機、物聯網等新興應用領域發展，讓低功耗、高性價比NOR Flash產品受到下游應用的青睞。而在賽普拉斯和美光于2017年轉向工控和汽車領域后，兆易創新等本土企業的存儲業務實現了快速增長。

2019年，兆易創新業績取得重大突破，實現營收32.03億，相比前年增長近10億元。出貨量方面，兆易創新在SPI NOR Flash領域全球排名第三，Flash累計出貨超130億顆；32-bit ARM? Cortex? MCU 累計出貨超4億顆。

值得一提的是，在SPI NOR Flash領域，兆易創新的全球市場份額連續7年占據前三。據Web-Feet Research數據顯示，2018年兆易創新的SPI NOR Flash全球市場份額為14.2%，到了2019年，兆易創新的市占率提高至17.2%。

新成熟工藝下的SPI NOR和SLC NAND

從2008年，兆易創新推出國內首款180nm SPI NOR FLASH至今，其NOR FLASH產品已經歷了多次迭代發展。2013年，兆易推出國內首款65nm SPI NOR FLASH；隨后，兆易創新在2019年推出國內首款55nm SPI NOR FLASH。

55nm SPI NOR相對于65nm產品的優勢主要有三方面：性能更高，可支持的最大頻率提高80%；功耗更低，讀功耗更低，最低可降低50%；封裝更小，同等容量，可支持更小的封裝。

目前，兆易創新SPI NOR Flash? 產品路線圖按電壓等級可分為1.2V、1.65V~3.6V、1.8V和3V，產品容量覆蓋了512K~2Gb范圍。

薛霆認為，SPI NOR Flash的發展趨勢將朝著高性能、低功耗、高安全性和小封裝方向發展。兆易創新的高性能產品包含LF/F 、LT/T 以及LX/X 等支持DTR功能的產品系列。值得一提的是，LX/X 系列的Throughput（帶寬）最高可達400MB/s。低功耗產品有LE系列、WD/WQ 系列和UE 系列；高安全性方面有LR/R 系列；小封裝有USON8和WLCSP等。

在NAND產品方面，2020年，兆易創新取得了重要突破，量產24nm工藝節點的4Gb SPI NAND Flash產品，實現了從設計研發、生產制造到封裝測試所有環節的純國產化和自主化。24nm SLC NAND新成熟工藝相比38nm工藝產品而言，Die Size顯著縮小，成本更優化，一次性緩存數據量更多。

在產品不斷迭代發展背后，是兆易創新百人級規模工藝研發人員的不斷努力。據薛霆表示，“55nm SPI NOR開發3年，24nm SLC NAND開發4年，投入了大量的研發資源，在不斷的打磨和工藝驗證中，兆易創新用高于JEDEC標準的量產要求以保證產品的可靠穩定。”

兆易創新SLC NAND FLASH產品路線路按接口類型可分為SPI Interface GD5Fx和ONFI Interface GD9Fx系列，產品容量覆蓋了1Gb~8Gb范圍且全系列支持1.8V和3.3V兩種電壓范圍。目前，24nm新工藝的4Gb和8Gb產品已量產，同時正開發1Gb和2Gb相對應的SLC NAND產品。
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