三安光電的Micro LED專利，通過利用導電基板搭配絕緣隔離，根據共電極并聯的方式形成針孔電極的支撐柱子，同時采用模塊化金屬犧牲層做測試電極，實現微型發光元件的巨量全測。

近年來，Micro LED布局火熱，作為新一代顯示技術，布局Micro LED就是布局未來。目前來看，三安光電既是LED光電龍頭，也是集成電路新貴，在Micro LED領域占據領先地位，市場競爭力十分強勢。

微型LED（Micro LED），除了具有OLED自發光、厚度薄、質量輕、視角大、響應時間短、發光效率高等特性外，還有體積小、易于攜帶、功耗低等優異特性，更容易實現高PPI（像素密度）。LED產業已經有很多單位致力于元件的開發應用。但由于LED芯片很小，如何實現全測已經成為一個重大難點。為了實現巨量轉移，芯片采用懸空式制作，對應的就需要懸空搭橋測試，但是容易出現斷橋，或者掉電極（peeling）等問題。

為此，三安光電于2018年3月22日提出一項名為“一種微型發光元件及其制作方法”的發明專利（申請號：201810241966.2），申請人為廈門市三安光電科技有限公司。

圖1 微型發光二極管器件制作過程1

圖1過程為提供的LED外延結構110，一般包括生長襯底111和外延疊層。其中，生長襯底110表面結構可為平面結構或圖案化圖結構，蝕刻區包括第二電極區217和切割道區218，其中切割道區218將整個發光外延疊層110劃分為一系列微發光單元LED。繼續蝕刻切割道區218的第一類型半導體層212則形成走道150，從而將在整個發光外延結構分為一系列微型LED芯片陣列。

圖2 微型發光二極管器件制作過程2

在制作過程2中，各個微型LED芯片的表面上覆蓋絕緣材料層160，僅露出第一電極216和第二電極的217的部分表面，并在微型LED芯片陣列上制作金屬犧牲層190，進而根據測試模塊，形成區域化的金屬犧牲層，使得整個模塊化的金屬犧牲層并聯在第二電極上，作為第二測試的第二電極。

圖3 微型發光二極管器件制作過程3

參照圖3，在微型LED芯片陣列上制作含有SiN等材料的絕緣保護層131，以此覆蓋住整面的金屬犧牲層，并填充第一電極開孔位置。利用干蝕刻的方式，在第一電極開孔進一步挖孔，露出第一電極，并將整面填充金屬連接層141，進而在第一電極上與絕緣保護層組成支撐柱子。

三安光電的此項Micro LED專利，在常用微型LED的基礎上，利用導電基板搭配絕緣隔離，形成針孔電極的支撐柱子，并用模塊化金屬犧牲層做測試電極，實現微型發光元件的巨量全測。

LED領域的市場競爭力十分強勢，而三安光電憑借強大的實力不斷開發出新型Micro LED，并于TCL華星成立聯合實驗室，以加速推進Micro LED市場化。希望在不久將來，三安光電將實現在相關領域的全產業鏈布局。

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