深迪半導體的MEMS芯片啟動電路專利，通過使用等效晶體管替代傳統電阻，可使得芯片面積更小，便于集成化，解決了現有技術中核心電路的啟動電路不能滿足低面積、低功效等問題。

國內的MEMS傳感器市場正處于突飛猛進的發展勢頭下，尤以在手機市場中的應用更為火爆。深迪半導體作為國內MEMS芯片傳感器領域的高新科技企業，生產了一系列諸如慣性測量單元、陀螺儀等MEMS傳感器產品，填補了該領域多項國內市場空白。

手機終端通常采用鋰電池供電，供電范圍較大，通常需要使用低壓線性穩定器降低電源波動對MEMS芯片的影響。這種電路存在正常和簡并兩種工作模式，通常需要使用啟動電路來保證正常工作，對于啟動電路來講，通常需要消耗一些靜態電流，為了滿足各種工藝偏差需要設計足夠余量，并不可避免的增加芯片面積，引入了系統功耗。

基于此，深迪半導體于2019年9月2日提出一項名為“一種MEMS傳感器及啟動電路”的發明專利（申請號：201910821394.X），申請人為深迪半導體（上海）有限公司。

圖1 MEMS啟動電路的電連接示意圖

參考圖1，應用于MEMS傳感器的啟動電路可對帶隙基準核心電路進行啟動，帶隙基準核心電路在正常模式下輸出預設高電壓，在簡并零電流模式下輸出0或預設低電壓，為LDO（線性穩壓器）提供基準電壓。該專利提出的啟動電路包括等效電阻產生單元11以及狀態切換單元12，等效電阻產生單元11由等效晶體管M1組成，并可替代傳統的電阻，降低芯片的面積，更利于芯片的集成化處理。狀態切換單元與等效電阻單元和帶隙基準核心電路電連接，當檢測到核心電路輸出電壓為0或預設低電壓時，將其切換為正常工作模式，同時使得啟動電路上的靜態電流為0，降低電路功耗。

圖2 啟動電路原理圖

具體來看，參考圖2，狀態切換單元12包括NMOS管M2、反相器inv1以及PMOS管M3，PMOS管M3的源極為帶隙基準核心電路提供啟動信號（sig2）。帶隙基準核心電路2包括PMOS管M4、PMOS管M5、電阻r1、電阻r2、電阻r3、誤差放大器A1、PNP三極管Q1以及PNP三極管Q2，其中各個MOS管可以為多個器件并聯而成。狀態切換單元12用以在檢測到帶隙基準核心電路2的輸出電壓為0時，通過PMOS管M3的源極為帶隙基準核心電路2提供啟動信號（sig2），以調整其輸出電壓為預設高電壓。

簡而言之，深迪半導體的這一發明專利提供了一種MEMS傳感器及啟動電路，通過使用等效晶體管替代傳統電阻，使得芯片面積可以更小，便于集成化，并解決了現有技術中核心電路的啟動電路不能滿足低面積、低功效等問題。

MEMS系列傳感器芯片作為當前集成電路上下游產業中的熱門領域，與之相關的技術創新也不斷出現，相信未來深迪半導體憑借其技術創新實力能夠實現更加成熟的MEMS傳感器生產線，引領國內MEMS傳感器芯片市場蓬勃發展。

關于嘉德

深圳市嘉德知識產權服務有限公司由曾在華為等世界500強企業工作多年的知識產權專家、律師、專利代理人組成，熟悉中歐美知識產權法律理論和實務，在全球知識產權申請、布局、訴訟、許可談判、交易、運營、標準專利協同創造、專利池建設、展會知識產權、跨境電商知識產權、知識產權海關保護等方面擁有豐富的經驗。
責任編輯:tzh