從去年開始，美國就開始修改規則，到今年中，美國共計修改三次規則，結果導致大量美國芯片企業以及使用美國技術的芯片企業不能自由出貨，除非是拿到許可。

數據顯示，美共計收到了4000多份申請，但僅通過了千余分申請，拿到許可的成功率并不高，像高通等多次申請均被拒絕了。

但現在情況出現了變化了，美國突然改口了，越來越多的企業拿到了許可，像索尼、豪威科技等都已經能夠實現自由出貨了。

消息稱，美國之前規定，凡是出貨均需要許可，沒有許可的情況下，不能自由出貨。

如今變成了，只要不是產品或者技術不用在5G設備上，就能夠很快拿到許可，甚至是用在移動等設備上，也是可以的。

這意味著，越來越多的企業都能夠拿到許可，畢竟高通也正式表態，再次申請許可，甚至臺積電還開始再次申請許可，目的都是實現自由出貨。

據了解，美突然改口，可能是因為壓力大，畢竟其是主要的芯片、原材料以及技術的出口國，限制企業出貨，自然導致企業壓力大。

消息稱這已經給半導體行業帶來1500億元美元的損失，同時，這些企業還面臨巨大的庫存壓力。

另外，越來越多的企業都向美遞交申請，希望自由出貨，這無形之中也給美增加了壓力。

華為也搞出芯片大動作

就在美國松口、改口之際，華為也搞出了芯片大動作。

據悉，華為mate40系列手機已經正式發布，但在華為Mate40系列手機上，華為采用了自研的閃存芯片，上面還帶有華為海思的logo。

也就是說，華為海思不斷完善芯片產業鏈，在更多的芯片上實現自研，而自研的屏幕驅動芯片，預計也會很快出現在華為手機上。

最主要的是，華為任正非發表了《向上捅破天，向下扎到根》的主題演講。

任正非表示，華為今天遇到的困難，不是依托全球化平臺，在戰略方向上壓上重兵產生突破，而有什么錯誤。而是我們設計的先進芯片，國內的基礎工業還造不出來。

隨后就有消息稱，華為正計劃在上海建設一家不使用美國技術的芯片制造工廠。

另外，來自供應商的消息稱，華為計劃投資200億美元實現芯片自主生產制造。

據了解，華為將從45nm芯片開始， 2021 年底之前為 “物聯網”設備制造 28 nm的芯片，并在 2022 年底之前為 5G 電信設備生產 20 nm的芯片。

華為搞出的這個芯片大動作，其實并不意外，畢竟在此之前，余承東就表示，華為以及國內廠商沒有進入重資產的芯片制造領域，這是一個教訓。

隨后，余承東宣布全面進入半導體領域，而華為海思則面向全球招聘40余位芯片博士，預示著華為海思向IDM轉型。

如今，任正非又表態，向上捅破天，向下扎到根，這明顯是想完全掌握芯片技術，實現芯片自研自產。

情況出現變化了

就在華為加速向芯片領域全面進入之際，外部出現了變化，越來越多的企業表態，甚至拿到了許可，實現了自由出貨。

例如，三星顯示、索尼以及豪威科技等都實現了自由出貨，而ASML將上市全新的DUV光刻機，而DUV光刻機直接向國內廠商出口是不要許可的。

另外，高通、臺積電等也在申請許可，按照目前的情況來看，這兩者實現自由出貨的希望很大。

這對于華為而言，本身是卻是一件好事，但華為也需要警惕，自研自產之路不能放松。

畢竟任正非都說了，華為以后不想再經歷卡脖子的情況，自己造芯片必須做，還要實現的。
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