Double Density 是 IDTs FCT-T 系列的 16、18 和 20 位總線接口組件。該系列在功能上與其他 16 位系列兼容，但為用戶提供節能、更高的速度和出色的低噪聲操作保證，并可選擇輸出驅動特性。這些組件有 64 mA 驅動版本，用于存在線路端接的背板驅動，平衡驅動 24 mA 版本，帶有內部串聯線路端接以實現安靜操作，以及 3.3 V 版本，用于需要較低電源電壓的應用。

在設置去耦電容器的目標時，電容器固有的串聯電阻和電感通常會降低性能。片式電容器的使用降低了由于電容器引線和通孔布置引起的電感，使片式電容器成為最佳選擇，其中封裝樣式應允許電容器以非常短的引線長度貼近電路板安裝。對于通孔電容器，應盡可能靠近板表面修剪多余的引線。

PC 板電源和接地通道

IDT 雙密度器件封裝在具有多個電源和接地引腳的 48 或 56 引腳 SSOP、TSSOP 或 TVSOP 中，如圖 1 所示。與具有角 Vcc 和接地引腳的舊邏輯系列不同，雙密度器件封裝有 8 個接地引腳和 4 個 Vcc 引腳，它們在封裝的兩側等距分布。通過為電流提供多條短的平行路徑，引線電感降低，從而減少了同時噪聲的影響。這也通過分散電流路徑來降低電路板金屬化中電感的影響。

選擇電容器封裝

去耦電容器的有效性通常會因電容器固有的串聯電阻和電感而降低。片式電容器的使用降低了由于電容器引線和通孔布置引起的電感，使片式電容器成為可以使用封裝樣式的最佳選擇。如果無法使用片式電容器，則封裝應允許電容器以非常短的引線長度靠近電路板安裝。對于通孔電容器，應盡可能靠近電路板表面修剪多余的引線。

電容器周圍有一個影響圈，這意味著緊鄰電容器的引腳和組件將被有效地去耦，而那些遠離電容器的組件將受到的影響較小。這種特性在圖 2 中建模。

電容器相對于元件

的放置 去耦電容器應盡可能靠近被去耦的元件放置。無需為器件上的每個 Vcc 提供單獨的電容器，但去耦電容器應牢固連接到兩個平面，從而為器件上的所有電源和接地引腳提供一條短的導電路徑。相對于組件而言，最佳放置位置是電路板的背面，以器件為中心，如圖 3 所示。

使用具有不同內部結構的

電容器當在同一塊板上使用不同值和不同類型的電容器且彼此靠近時，兩個電容器可能開始相互作用。對于不同的頻率響應，兩個電容器將以不同的時間響應電壓尖峰，結果是兩個電容器之間的內部電壓出現瞬時差異。然后，兩個電容器可以通過在它們之間通過其特征串聯電感器傳遞電荷而開始振蕩，如圖 4 所示。最終結果將是發生的有效去耦減少，并且可能會在電路板上增加噪聲源。

要正確解耦 IDT 的雙密度部件，請執行以下操作：

選擇滿足組件需要的電容器。0.1 μF 陶瓷是一個很好的起點。在電路板上其他地方具有良好的低頻去耦但遇到高頻噪聲的情況下，0.01 μF 陶瓷可能更好。

為獲得最佳效果，每個 IC 至少使用一個電容器。在嘈雜的情況下可能需要更多，而在仔細放置組件和電容器的情況下可能需要更少。

將電容器盡可能靠近組件放置。在板的背面是最好的。兩端的組件也不錯。

確保組件上的所有接地引腳與電容器之間連接良好。這應該以設備下方的實心接地平面的形式出現。Vcc 引腳也是如此

如果可能，將電容器放置在組件和電路板上的電源入口點之間

在危急情況下，可以使用兩個或多個不同值的電容器。在這種情況下，選擇較大的電容器以提供低頻穩定性，并選擇較小的電容器以提供與較高頻率的串聯諧振。示例可能是 0.1 μF 或 1 μF 陶瓷以及 0.001 μF 或 0.01 μF

如果使用不同內部結構的電容器，它們不應彼此靠近放置。彼此靠近的不同類型的電容器可能會在它們之間產生共振，從而抵消使用兩個電容器的任何積極影響。

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