10月16日，第十九屆中國（淄博）新材料技術論壇在淄博舉行。在論壇上，中國科學院院士，南京大學物理系教授、博士生導師都有為指出，自旋芯片屬于核心高端芯片，是科技關鍵核心技術，具有高達上萬億美元的巨大市場前景，有可能成為后摩爾時代的主流芯片。

據了解，自旋芯片是各類MRAM（磁隨機存儲器）的統稱，共經歷了MRAM、STT-MRAM、MeRAM等三個發展階段。

在此期間，不同的國家或者企業都在積極推動自旋芯片的發展。2008年，日本衛星全面采用Freescale公司的MRAM產品，替代了SRAM和Flash存儲器。2009年，法國投入420萬歐元資助研制自旋電子可編程邏輯器件；韓國政府與Hynix和三星共同投資5000萬美元開發STT-MRAM。2010年，日本研發新的TMR結構，原理上可以使STT-MRAM容量達到10Gbit。2013年，歐洲A350飛機采用自旋芯片控制系統。2016年，IBM聯手三星宣布批量生產STT-MRAM芯片，其讀寫速度比NAND Flash快千倍，有望取代DRAM。

從2017年開始，中國企業也在積極布局自旋芯片 。2017年，臺積電在南京建廠擬生產自旋芯片。2018年，杭州馳拓、上海磁宇、中芯國際、華為等籌建自旋芯片的研發、生產線。

都有為認為，自旋芯片兼具SRAM的高速度、DRAM的高密度和Flash的非易失性等優點，是科技關鍵核心技術，可軍民兩用，具有高達上萬億美元的巨大市場前景，有可能成為后摩爾時代的主流芯片。這對提升國家高科技水平和增強國防安全意義重大，國外不會將高端科技在中國生根發芽，國家應予以高度重視與支持。

都有為強調，如果我國當前不重視自旋芯片的研發與產業化，未來必將受制于國外，重走半導體芯片落后的覆轍。
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