10月7日消息，據長沙晚報報道，總投資160億元的長沙三安第三代半導體項目國慶長假期間未停工，其中為主廠房提供動力的主要輔助建筑——C2綜合動力站日前已率先完成封頂。同時，項目最大單體建筑M2B碳化硅芯片生產廠房全面進入主體施工收尾階段。

施工現場，項目工地內多個建筑主體已初現雛形，工人們正穿著雨衣進行施工作業，或搭設腳手架，或綁鋼筋、支模板，現場“抓進度 保質量 確保三安明年6月試產”的標語格外顯眼，工人叮叮當當的敲打聲、機械設備作業的轟鳴聲回蕩在工地上。

中建五局三公司三安項目負責人周祥介紹，C2綜合動力站建筑面積約1萬平方米，是廠區的“心臟”，主要包括熱水系統、冷卻水系統、壓縮空氣系統、發電系統等。“除了動力站封頂，項目最大單體建筑M2B碳化硅芯片生產廠房全面進入主體施工收尾階段。”周祥說，憑借過硬的專業技術，項目部近日順利完成了M2B碳化硅芯片生產廠房華夫板澆筑，這也是廠房最難的施工部分。據悉，M2B碳化硅芯片廠房是該項目一標段30個單體中建筑面積最大、潔凈等級要求最高的廠房。

今年6月16日晚間，三安光電發布公告稱，計劃以現金投資160億元，在湖南省長沙高新技術產業開發區管理委員會園區成立子公司投資建設第三代半導體產業園項目。

據公告介紹，該項目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈，投資總額160億元。

6月15日，三安光電已與長沙高新技術產業開發區管理委員會簽署《項目投資建設合同》。根據計劃，三安光電將在用地各項手續和相關條件齊備后24個月內完成一期項目建設并實現投產，48個月內完成二期項目建設和固定資產投資并實現投產，72個月內實現達產。

對于具體開發建設的產品，三安光電方面表示，主要研發、生產及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET等。對于此次投資，三安光電方面認為：“第三代半導體產業園項目有著廣闊的市場需求，現處于發展階段。本次投資項目符合國家產業政策規劃，符合公司產業發展方向和發展戰略，有利于提升公司行業地位及核心競爭力。”

7月20日，長沙三安第三代半導體項目正式開工。據長沙高新技術產業開發區管理委員介紹稱，長沙三安第三代半導體項目，總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業生產基地。項目建成達產后將形成超百億元的產業規模，并帶動上下游配套產業產值預計逾千億元。

當前，第三代半導體材料及器件已成為全球半導體材料產業的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體成熟商用材料，在新能源汽車、5G、智能電網、高速軌道交通、半導體照明、消費類電子、航天等領域具有重要的應用價值。

資料顯示，三安光電早在2014年就已經通過投資三安集成發展砷化鎵，成為大陸第一家研發與生產化合物半導體的廠商。2017年底，三安光電更斥資人民幣333億元，在福建泉州南安高新技術產業園區投資第三代化合物半導體材料。包含高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發與制造產業化項目；高端砷化鎵LED外延、芯片的研發與制造產業化項目等。2019年4月26日，三安光電發布公告稱，擬投資120億元在湖北省葛店經濟技術開發區興辦Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體項目，主要生產經營Mini／Micro LED外延與芯片產品及相關應用的研發、生產、銷售。2019年11月，三安光電宣布募資投入總投資金額138.05億元的半導體研發與產業化項目（一期），該項目也涉及氮化鎵芯片的研發、生產。目前，三安光電已經成為了國內第三代半導體的龍頭企業。

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