Nexperia在TO-247和專有CCPAK表面貼裝封裝中采用下一代高壓GaN HEMT H2技術的新型GaN FET解決方案將主要針對汽車、5G和數據中心應用。Nexperia還宣布了硅鍺（SiGe）整流器的新解決方案，其反向電壓分別為120V、150V和200V，將肖特基（Schottky）整流器的高效性與快速恢復二極管的熱穩定性相結合。

新器件在通態電阻方面提供了出色的性能，并通過級聯配置簡化了設計，從而消除了對驅動器和控制的需求。

“我們發現機架式電源對電信服務器有吸引力。即使在5g數據中，數據場也需要越來越高的效率，當然所有輸出范圍的效率都超過90%，你將進入鈦級。Nexperia總經理MichaelLegoff說：“這也是我們發現對我們的產品組合的需求量更大的地方。

汽車制造商和其他系統的設計者正在更高的溫度下工作，并越來越追求更高的效率——無論是小型化、性能、監管還是其他原因。針對汽車、通信基礎設施和服務器市場，新型1-3a硅鍺整流器在LED照明、發動機控制單元或燃油噴射等高溫應用中特別有利。

“在理想的世界里，設計師會使用肖特基二極管，因為它們效率很高，正向電壓很低，開關速度很快；它們的問題是，首先，它們不適用于這樣高的電壓。Nexperia的產品經理Jan Fischer說：“所以，對于電壓來說，它們不那么容易找到，比如說150或200伏，因為它們變得非常低效，而且，它們的熱穩定性也不那么穩定。”

他接著說，“當你在非常高的溫度下操作它們時，它們往往會產生一種叫做熱失控的效應。這就是為什么，對于對泄漏電流非常敏感的高溫應用，我們的客戶通常使用pn整流器，但這些整流器的效率并不高，因為它們具有非常高的正向電壓和高的傳導損耗。我們相信硅鍺整流器可以將兩個世界的優點結合起來，因為它們提供肖特基二極管那樣的低Vf和pn整流器的熱穩定性。”

GaN Nexperia解決方案

GaN晶體管比硅mosfet快得多，體積小得多。GaN的性能表明，效率和性能有了顯著的提高，導致了一些新的應用，這是硅技術無法實現的。

新的GaN技術通過epi通孔使用，減少缺陷和模具尺寸約24%。無線電數據系統（on）也減少到只有41 mΩ（最大35 mΩ典型值。在25°C時），在傳統TO-247中初次釋放。降低值將進一步增加，達到39 mΩ（最大值，33 mΩ典型值。在25°C時）使用CCPAK表面安裝型。由于這些部件被配置為級聯器件，因此使用標準的Si-MOSFET驅動器也很容易驅動它們。CCPAK表面安裝版本，GAN039，將通過AEC-Q101汽車應用。

“它還允許我們改進RDS（on）級別，但仍然使用相同的級聯結構。我們看到動態特性提高了15%。這兩個產品將發布在新一代技術，其中工藝已經批準是在一個TO247封裝，給你約41兆歐的RDS（開），我們認為CCPAK將成為業界領先的表面貼裝設備。

CCPAK表面安裝采用創新和成熟的銅線夾封裝技術來取代內部連接線。這降低了寄生損耗，優化了電氣和熱性能，提高了可靠性：降低了3倍的寄生電感，降低了開關損耗和電磁干擾，與線焊解決方案相比，可靠性更高。

圖1:Nexperia的解決方案

CCPAK-GaN場效應晶體管有頂部或底部冷卻結構。

SiGe解決方案

鍺硅（SiGe）整流器結合了肖特基整流器的效率和快速恢復二極管的熱穩定性，允許工程師優化其100-200V的功率設計。對于許多電路設計來說，主要的挑戰是：在每個空間集成更多的功能，實現最高效率的設計，以及系統小型化。SiGe整流器是一種理想的解決方案，具有高效率、易熱設計和小尺寸等優點。

該設備適用于汽車工業、服務器市場和通信基礎設施，可在175°C的溫度下安全運行。與硅相比，SiGe具有更小的頻帶、更快的開關頻率和更大的電子遷移率，從而改善了高頻開關性能。Nexperia已經開發了幾個工藝專利，滿足了高效和高溫操作的看似矛盾的要求（圖2和圖3）。

圖2:Nexperia新型SiGe

圖3:Schottky和SiGe整流器的泄漏電流與外殼溫度的關系。當漏電流增加到超指數時，就會發生熱失控。

為了進一步提高性能，Nexperia提供的解決方案采用FlatPower（CFP）雙針夾式扎帶封裝（CFP3和CFP5），這反過來又提供了出色的散熱效果。它還允許引腳對引腳的兼容性，以及肖特基整流器和快速恢復整流器的替代品。

SiGe器件具有較低的漏電流（約1na），降低了傳導損耗，從而提高了各種應用的效率。Jan Fischer說：“粗略估計，在熱穩定性與最佳快恢復二極管相同的情況下，效率可提高5%至10%。

所有設備均通過AEC-Q101認證，可用于汽車使用，并通過多家汽車制造商要求的2次AEC-Q101壽命試驗。其他重要應用包括LED照明和通信基礎設施。
編輯：hfy