国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

針對(duì)器件經(jīng)過背面減薄后表面處理方法的研究方案

MEMS ? 來源:搜狐網(wǎng) ? 作者:搜狐網(wǎng) ? 2020-09-07 14:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

銻化銦焦平面器件是通過倒裝互連工藝來使銻化銦芯片的每個(gè)像元與讀出電路的相應(yīng)單元之間實(shí)現(xiàn)電連通的。該器件采用背光照結(jié)構(gòu),即目標(biāo)輻射從焦平面器件的背面入射,由芯片的每個(gè)像元轉(zhuǎn)換為電信號(hào),再經(jīng)過讀出電路的讀取、放大和輸出。圖1為紅外焦平面混成芯片的成像測試示意圖。為了提高光吸收量子效率,需要將銻化銦襯底的厚度減薄至少子空穴的擴(kuò)散長度以下,這樣才能實(shí)現(xiàn)高靈敏度探測。

圖1 紅外焦平面混成芯片的成像測試示意圖

與其他半導(dǎo)體材料相比,銻化銦的表面硬度更軟(其硬度為223 Knoop,硅的硬度為1150 Knoop),所以在拋光時(shí)更容易產(chǎn)生表面劃傷,導(dǎo)致粗糙度增大,表面復(fù)合速率加快,造成電性能下降,從而影響器件的性能。因此需要選擇合適的腐蝕液對(duì)銻化銦背面進(jìn)行腐蝕以減少劃道,然后采用非接觸式清洗方法清洗表面,進(jìn)而得到潔凈表面。本文針對(duì)銻化銦背面減薄后的腐蝕和清洗方式進(jìn)行研究,并提出一種新的銻化銦背面減薄后的表面處理方法。

1試驗(yàn)

用蠟將倒裝互連后的銻化銦焦平面器件粘接在玻璃板上,用光刻膠保護(hù)好焊盤,并用非接觸式測厚儀測量器件襯底的厚度;用拋光機(jī)通過粗磨、拋光、精拋分步將銻化銦襯底去除至設(shè)計(jì)厚度。利用不同的酸處理器件表面,去除損傷層;采用非接觸式表面處理方法,以避免清洗時(shí)產(chǎn)生劃道。基于紅外成像測試系統(tǒng)進(jìn)行成像測試,觀察紅外成像結(jié)果中是否有劃道,并對(duì)表面處理的效果進(jìn)行評(píng)估。圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中的常規(guī)背面減薄工藝流程與本文提出的新方法的對(duì)比情況。

圖2 現(xiàn)有技術(shù)中的常規(guī)背面減薄工藝流程與本文提出的新方法的對(duì)比圖

2結(jié)果與討論

2.1用不同酸處理時(shí)的影響

2.1.1測試圖像

圖3為銻化銦器件的紅外測試圖像。其中,圖3(a)為未經(jīng)過酸腐蝕的器件樣品的紅外成像圖,圖3(b)為該器件樣品的顯微照片(局部圖)。從中可以看出,器件表面上存在明顯的劃道痕跡。圖3(c)為經(jīng)過初始腐蝕液處理的器件樣品的紅外成像圖。雖然沒有劃道,但由于表面腐蝕速率不均勻,測試時(shí)部分區(qū)域的電平較高,所以在測試圖像上出現(xiàn)了亮斑。圖3(d)為用改進(jìn)過的腐蝕液處理后的器件樣品的紅外成像圖。可以看出,器件表面上沒有劃道,且圖像均勻。

圖3 (a)未經(jīng)酸處理的器件樣品的紅外成像圖;(b)未經(jīng)酸處理的器件樣品的顯微照片(局部圖);(c)經(jīng)初始腐蝕液處理的器件樣品的紅外成像圖;(d)用改進(jìn)過的腐蝕液處理后的器件樣品的紅外成像圖

2.1.2表面形貌

圖4所示為基于掃描電鏡拍攝的用改進(jìn)過的腐蝕液處理后的銻化銦器件的表面形貌。與未經(jīng)過腐蝕液處理的銻化銦器件表面相比,它沒有明顯的劃道痕跡,且表面光亮、整潔。

圖4 用改進(jìn)過的腐蝕液處理后的銻化銦器件表面的掃描電鏡圖

2.2表面清洗方法優(yōu)化

傳統(tǒng)的清洗方法為手工操作,其主要步驟如下:

(1)去蠟。用鑷子將器件夾住,同時(shí)用酒精棉球擦拭器件背面和四周。

(2)清洗焊盤。將酒精棉球制作成空心球狀,擦拭器件正面的電路焊盤。

(3)清洗器件表面。將器件放入裝有丙酮的培養(yǎng)皿中,然后將長絲棉制作成空心球狀,并用其擦拭器件表面。

(4)鏡檢。將器件吹干,無沾污、無水痕即為合格。

傳統(tǒng)清洗方法存在的問題是,在用長絲棉擦拭器件表面時(shí),棉花容易在表面上帶入劃道;清洗工藝對(duì)操作人員的手工要求高,工藝重復(fù)性差。

我們對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化的思路是減少長絲棉與器件表面的接觸,即在器件精拋后,用光刻膠將表面覆蓋。調(diào)研可去除蠟但對(duì)光刻膠沒有影響的有機(jī)試劑。表1列出了蠟、光刻膠與去蠟液及石油醚的互溶試驗(yàn)結(jié)果。從中可以看出,去蠟液和石油醚對(duì)蠟均有較好的去除效果,而且都不會(huì)對(duì)光刻膠產(chǎn)生影響。

表1 蠟、光刻膠與有機(jī)試劑的互溶試驗(yàn)結(jié)果

由于經(jīng)過去蠟液或石油醚浸泡的芯片表面會(huì)有試劑殘留,需要進(jìn)一步對(duì)去除去蠟液或石油醚進(jìn)行試驗(yàn)。表2列出了去蠟液、石油醚與無水乙醇的互溶試驗(yàn)結(jié)果。從中可以看出,石油醚在10 min內(nèi)完全溶解于無水乙醇試劑中。

表2 去蠟液、石油醚與有機(jī)試劑的互溶試驗(yàn)結(jié)果

通過上述試驗(yàn)可以確定非接觸清洗工藝:在器件精拋后,用光刻膠覆蓋表面;待光刻膠干燥后,從玻璃板上取下器件,用石油醚浸泡20 min(去除蠟),然后用無水乙醇浸泡10 min(去除殘留的石油醚)。

3結(jié)束語

本文針對(duì)器件經(jīng)過背面減薄后的表面處理進(jìn)行了研究。通過腐蝕液腐蝕去除劃道,并采用基于石油醚和無水乙醇的非接觸式清洗方法,有效降低了器件表面上產(chǎn)生劃道的幾率,同時(shí)避免了由于表面腐蝕速率不均勻?qū)е聹y試時(shí)部分區(qū)域電平較高、在測試圖像上出現(xiàn)亮斑等情況;另外還提高了工藝的重復(fù)性,使銻化銦器件的紅外成像均勻且沒有劃道,從而提高了該器件的成品率。在后續(xù)研究中,由于仍有相關(guān)工藝與表面接觸,需要采取有效措施,以減少由人為失誤導(dǎo)致的劃道。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    113

    文章

    5005

    瀏覽量

    99743
  • 電信號(hào)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    845

    瀏覽量

    21849

原文標(biāo)題:銻化銦焦平面器件背面減薄后的表面處理方法研究

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    白光干涉儀在晶圓濕法刻蝕工藝的 3D 輪廓測量

    引言 晶圓濕法刻蝕工藝通過化學(xué)溶液對(duì)材料進(jìn)行各向同性或選擇性腐蝕,廣泛應(yīng)用于硅襯底、氧化層開窗、淺溝槽隔離等工藝,其刻蝕深度均勻性、表面平整度、側(cè)向腐蝕量等參數(shù)直接影響器件性能。例
    的頭像 發(fā)表于 09-26 16:48 ?1132次閱讀
    白光干涉儀在晶圓濕法刻蝕工藝<b class='flag-5'>后</b>的 3D 輪廓測量

    【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制方法

    摘要 本文圍繞碳化硅晶圓總厚度變化(TTV)厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制問題,深入分析二者的相互關(guān)系及對(duì)器件性能的影響,從工藝優(yōu)化、檢測反饋等維度提出協(xié)同控制方法,旨在為提升碳化硅襯底質(zhì)量、保障
    的頭像 發(fā)表于 09-04 09:34 ?902次閱讀
    【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與<b class='flag-5'>表面</b>粗糙度的協(xié)同控制<b class='flag-5'>方法</b>

    n型背接觸BC電池:通過SiNx/SiON疊層優(yōu)化反射與表面鈍化性能

    背結(jié)背接觸(BJBC)電池通過將發(fā)射極和金屬接觸集成于背面,顯著提升了載流子收集效率。本研究采用非真空中斷法制備SiNx/SiON雙層結(jié)構(gòu),結(jié)合Quokka模擬,系統(tǒng)優(yōu)化了BC電池反射與鈍化
    的頭像 發(fā)表于 08-13 09:02 ?1590次閱讀
    n型背接觸BC電池:通過SiNx/SiON疊層優(yōu)化<b class='flag-5'>減</b>反射與<b class='flag-5'>表面</b>鈍化性能

    TSV工藝中的硅晶圓與銅平坦化技術(shù)

    本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓與銅平坦化。 硅晶圓與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術(shù)的核心環(huán)節(jié),主要應(yīng)用于含銅 TSV 互連的
    的頭像 發(fā)表于 08-12 10:35 ?1842次閱讀
    TSV工藝中的硅晶圓<b class='flag-5'>減</b><b class='flag-5'>薄</b>與銅平坦化技術(shù)

    半導(dǎo)體碳化硅SiC制造工藝CMP晶圓表面粗糙度檢測

    在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)因其卓越的電導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而,為了實(shí)現(xiàn)這些器件的高性能,必須對(duì)SiC進(jìn)行精細(xì)的表面處理。化學(xué)機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:55 ?1166次閱讀
    半導(dǎo)體碳化硅SiC制造工藝CMP<b class='flag-5'>后</b>晶圓<b class='flag-5'>表面</b>粗糙度檢測

    激光熔覆工藝及EHLA涂層表面形貌研究

    共聚焦顯微鏡:可應(yīng)對(duì)各種精密器件及材料表面以及多樣化的測量場景,超寬視野范圍、高精細(xì)彩色圖像觀察和多種分析功能,可為激光熔覆工藝表面形貌進(jìn)行精準(zhǔn)測量,為工藝質(zhì)
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:52 ?1189次閱讀
    激光熔覆工藝及EHLA涂層<b class='flag-5'>表面</b>形貌<b class='flag-5'>研究</b>

    共聚焦顯微技術(shù)揭示樹脂表面疏水性研究:延長固化與噴砂處理

    的口腔健康。固化光照時(shí)間與噴砂處理作為常見的表面改性手段,其對(duì)樹脂表面性能的影響機(jī)制尚未完全明確。本文將聚焦基于3D共聚焦顯微技術(shù)的義齒基托樹脂
    的頭像 發(fā)表于 07-22 18:07 ?54次閱讀
    共聚焦顯微技術(shù)揭示樹脂<b class='flag-5'>表面</b>疏水性<b class='flag-5'>研究</b>:延長<b class='flag-5'>后</b>固化與噴砂<b class='flag-5'>處理</b>

    研磨盤在哪些工藝中常用

    背面,通過研磨盤實(shí)現(xiàn)厚度均勻性控制(如至50-300μm),同時(shí)保證表面粗糙度Ra≤0
    的頭像 發(fā)表于 07-12 10:13 ?1142次閱讀

    半導(dǎo)體硅表面氧化處理:必要性、原理與應(yīng)用

    特性。本文從半導(dǎo)體硅表面氧化的必要性出發(fā),深入探討其原理、方法、優(yōu)勢(shì)以及在集成電路、微電子器件等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,旨在揭示表面氧化處理在推動(dòng)半
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:09 ?2282次閱讀
    半導(dǎo)體硅<b class='flag-5'>表面</b>氧化<b class='flag-5'>處理</b>:必要性、原理與應(yīng)用

    晶圓工藝分為哪幾步

    ”,也叫 Back Grinding(BG),是將晶圓(Wafer)背面研磨至目標(biāo)厚度的工藝步驟。這個(gè)過程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前(即晶圓仍然整體時(shí)),是連接芯片制造和封裝之間的橋梁。
    的頭像 發(fā)表于 05-30 10:38 ?1975次閱讀

    PCB表面處理丨沉錫工藝深度解讀

    的設(shè)計(jì)。 2、“沉錫+碳油”以及“沉錫+藍(lán)膠”,需要評(píng)審才能制作。 3、沉錫不允許烘板操作,如有“字符”或加印其它字符,需把“字符”流程放在表面處理前。 設(shè)計(jì)注意要點(diǎn) 小尺寸板的成品尺寸<50
    發(fā)表于 05-28 10:57

    對(duì)后續(xù)晶圓劃切的影響

    完成,晶圓才會(huì)進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行處理。晶圓為什么要封裝階段對(duì)晶圓進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 05-16 16:58 ?1378次閱讀
    <b class='flag-5'>減</b><b class='flag-5'>薄</b>對(duì)后續(xù)晶圓劃切的影響

    簡單認(rèn)識(shí)晶圓薄技術(shù)

    英寸晶圓厚度約為670微米,8英寸晶圓厚度約為725微米,12英寸晶圓厚度約為775微米。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行。直至芯片前制程完成,晶圓才會(huì)進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 05-09 13:55 ?2480次閱讀

    PCBA 表面處理:優(yōu)缺點(diǎn)大揭秘,應(yīng)用場景全解析

    一站式PCBA加工廠家今天為大家講講PCBA加工如何選擇合適的表面處理工藝?PCBA表面處理優(yōu)缺點(diǎn)與應(yīng)用場景。在電子制造中,PCBA板的表面
    的頭像 發(fā)表于 05-05 09:39 ?1417次閱讀
    PCBA <b class='flag-5'>表面</b><b class='flag-5'>處理</b>:優(yōu)缺點(diǎn)大揭秘,應(yīng)用場景全解析

    氬離子拋光技術(shù)之高精度材料表面處理

    氬離子拋光技術(shù)作為一種先進(jìn)的材料表面處理方法,該技術(shù)的核心原理是利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行精細(xì)拋光,通過精確控制離子束的能量、角度和作用時(shí)間,實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品
    的頭像 發(fā)表于 03-10 10:17 ?1068次閱讀
    氬離子拋光技術(shù)之高精度材料<b class='flag-5'>表面</b><b class='flag-5'>處理</b>