2020年8月19日，三安光電公告三安光電股份有限公司全資子公司湖南三安半導體有限責任公司擬以現金38,150.00萬元收購福建省安芯產業投資基金合伙企業（有限合伙）（持股比例為99.50%）和泉州安瑞科技有限公司（持股比例為0.50%）合計持有的福建北電新材料科技有限公司100%股權。

公司于2020年8月18日召開第十屆董事會第三次會議，審議通過《關于全資子公司購買資產暨關聯交易》的議案，同意公司全資子公司湖南三安以現金38,150.00萬元收購安芯基金和安瑞科技合計持有的北電新材100%股權。

湖南三安分別與安芯基金、安瑞科技簽署了《股權轉讓協議》。公司2020年1-7月與北電新材發生交易金額7,931,977.13元,過去12個月與北電新材發生的交易金額為11,177,523.08元。

北電新材最近一年又一期的主要財務數據如下：

（單位：萬元人民幣）

亞化咨詢資料顯示，北電新材于2019年擬投資約5.8億元在福建安溪縣湖頭鎮橫山村建設碳化硅襯底生產項目，租賃了福建晶安光電有限公司已建的應用廠房作為生產經營場所。項目主要從事碳化硅襯底的生產，項目規劃年產能3.6萬片（折合6英寸）

項目規劃的產品方案

2020年7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區舉行。根據公告顯示，項目投資總額160億元，投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈，在甲方園區研發、生產及銷售6吋SiC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

2020年7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區舉行。項目預計于2020年完成一期項目建設并實現投產。

碳化硅襯底主要可有導電型及半絕緣型兩種。其中，在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進一步制成碳化硅功率器件，應用于新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等領域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成微波射頻器件，應用于5G通訊、雷達等領域。

來源：天科合達招股說明書

與半導體硅片發展情況類似，碳化硅襯底也在不斷向更大尺寸發展。隨著全球6英寸碳化硅襯底生產技術的成熟完善、產品質量與穩定性的逐步提高，預計未來下游外延及器件廠商對于碳化硅襯底的需求將逐漸從以往的4英寸產品為主過渡到6英寸產品為主。在8英寸碳化硅襯底尚未實現成熟商業化的前提下，預計未來幾年內6英寸碳化硅襯底產品將成為碳化硅襯底市場的主流。

而伴隨著新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等行業的快速發展，碳化硅器件及碳化硅基氮化鎵器件產品的需求也將不斷攀升，從而拉動全球碳化硅襯底的需求。

碳化硅襯底的生產工藝難度極高，產業存在較高的技術壁壘。目前，碳化硅襯底產業重心主要在美國。以導電型碳化硅襯底為例，2018年美國占有全球碳化硅襯底產量的70%以上，僅Cree一家就占了一半以上的市場份額。

中國碳化硅襯底領域的研究從20世紀90年代末開始，在行業發展初期受到技術水平、設備規模產能的限制，未能進入工業化生產。21世紀，中國企業歷經20年的研發與摸索，已經掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產加工技術。

近年來，以山東天岳、世紀金光、天科合達為首的國內各地多個碳化硅襯底項目陸續簽約、開工、投產，并在國家大基金、哈勃投資等支持下，中國碳化硅襯底產業迎來了蓬勃式發展。三安光電收購北電新材完成后，中國SiC襯底項目情況如下所示：

第三代半導體技術、材料、設備與市場論壇定于2020年9月8-9日在廈門召開。

會議由亞化咨詢主辦，多家國內外龍頭企業重點參與。會議將討論全球第三代半導體市場、技術情況及產業發展機遇，中國第三代半導體產業布局及項目規劃，SiC PVT長晶技術&液相法的現狀及發展，新能源汽車等產業對SiC器件的需求，GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應用，GaN在快充市場中的發展及替代情況,其他化合物半導體材料如GaAs等等相關內容。