7月23日消息，韓國第二大芯片制造商SK海力士發布財報稱，第二季度凈利潤增長逾一倍，從上年同期的5370.3億韓元增至1.264萬億韓元（約合10.6億美元），超過市場預期，得益于存儲芯片需求和價格的穩健。

營收增長33%，至8.607萬億韓元。營業利潤增長逾兩倍，至1.947萬億韓元。SK海力士表示，疫情期間數據服務器中使用的內存芯片的強勁需求抵消了移動設備芯片需求的疲軟。

除了第二季度業績增長之外，SK海力士近期連續發布新消息，不斷引起業界關注。7月3日，公司宣布開始量產其新的DRAM，該芯片于去年8月宣布開發，到目前為止近10個月，SKHynix的HBM2E基于每引腳3.6GBps(每秒千兆位)的速度性能，每秒支持460GB(千兆字節)以上的速度，具有1,024個I/O(輸入/輸出)。它是業界最快的DRAM解決方案，能夠每秒傳輸124個FHD(全高清)電影(每個3.7GB)。

SK海力士表示，有望將其應用于Exascale超級計算機(一種高性能計算系統，每秒可以執行五百億次計算)，它將引領下一代基礎和應用科學的研究，例如氣候變化，生物軍醫和太空探索。

SK海力士執行副總裁兼首席營銷官(JMO)JonghoonOh說：“SK海力士一直走在技術創新的最前沿，為人類文明做出了貢獻，取得了包括世界上第一個HBM產品開發在內的成就。”“隨著HBM2E的大規模量產，我們將繼續加強我們在高端存儲器市場的影響力，并領導第四次工業革命。”

7月21日消息，SK海力士正計劃在M16工廠引入EUV光刻機。在進入20nm節點之后，內存工業也面臨著CPU工藝一樣的制造難題，微縮越來越困難，制造工藝復雜，導致內存成本居高不下。如今7nm以下的處理器用上了EUV光刻機，內存很快也要跟進了，SK海力士計劃在韓國M16工廠引入EUV工藝。

與目前大量在用的DUV光刻相比，EUV光刻機可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產時間、降低成本，并提高性能。

內存用上EUV工藝之后，內存顆粒的制造成本理論上是會下降的，這也為內存降價奠定基礎，不過EUV初期來說就很難了，因為EUV光刻機售價將近10億元人民幣，新建EUV產線的成本是非常高的，需要時間消化。

據韓國媒體報道，SK海力士已經成立了專門的研究小組攻克EUV工藝，從去年就開始投資EUV中可能用到的TF材料，相關研究由副總裁鄭泰佑負責，他是蝕刻技術的專家，曾參與SK海力士首個10nmDRAM“Arius”的開發項目以及下一代NAND閃存的研發。

SK海力士也在推進建設EUVDRAM內存生產線的建設，預計在韓國利川市的M16工廠中開始引入。

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