【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)某設(shè)計(jì),用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps,每8個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)一次查表需求,數(shù)據(jù)表存儲(chǔ)在由DDR4SDRAM組成的存儲(chǔ)器中。工程師需綜合考慮各方面要求,進(jìn)行
發(fā)表于 03-04 17:20
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FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,F(xiàn)IFO是一個(gè)數(shù)據(jù)具有先進(jìn)先出的存儲(chǔ)器。
發(fā)表于 01-13 15:15
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存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。基本的存儲(chǔ)器種類見圖21_1。
發(fā)表于 01-12 06:21
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在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器
發(fā)表于 12-08 15:20
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概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來(lái)存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫操作,支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
發(fā)表于 12-05 08:22
在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
發(fā)表于 11-25 14:28
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和讀取,適用于需要長(zhǎng)期保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)的設(shè)備。
多種存儲(chǔ)容量:武漢芯源半導(dǎo)體的EEPROM產(chǎn)品提供多種存儲(chǔ)容量選擇,從2KB到512KB不等,以滿足不同應(yīng)用的需求。
先進(jìn)的工藝:采用華虹95nm最先進(jìn)工藝制造
發(fā)表于 11-21 07:10
片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
發(fā)表于 11-12 07:34
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器,以高達(dá)35
發(fā)表于 10-24 16:36
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隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn),可再生能源,尤其是太陽(yáng)能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽(yáng)能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施,因此對(duì)可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求,F(xiàn)eRAM(鐵電體
發(fā)表于 08-08 14:41
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HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
發(fā)表于 07-18 14:30
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UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法, 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
發(fā)表于 04-16 16:04
3.3 存儲(chǔ)器映射 前文所述,寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲(chǔ)設(shè)備。那么,當(dāng)我們需要訪問它們的時(shí)候,我們需要知道它們的存儲(chǔ)地址。 3.3.1
發(fā)表于 04-16 15:52
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單片機(jī)與存儲(chǔ)器的關(guān)系像什么?單片機(jī)里的存儲(chǔ)都是一樣的嗎?為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash?
發(fā)表于 04-10 10:06
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本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
發(fā)表于 03-07 10:52
評(píng)論