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該行業正在不斷刷新納米芯片的記錄，這無疑將為我們帶來更多的未來計算可能性。為此，來自世界各地的研究人員正在不斷努力。最近，一個國際研究小組在其報告中表示，它在納米芯片的制造方面取得了突破性進展，或者它將對納米芯片的生產以及全球所有納米技術實驗室產生重大影響。

據報道，該研究團隊由紐約大學工程學院化學與生物分子工程教授Riedo領導。他們表明，使用加熱到100攝氏度以上的探針進行光刻比二維半導體要好（例如，制造金屬二硫化鉬（MoS2）的方法更便宜，并且有望成為替代方法）。到今天的電子束光刻。

該團隊將這種新的制造方法稱為熱掃描探針光刻（t-SPL），它比當今的電子束光刻（EBL）更具優勢：首先，熱光刻技術取得了重大進展。一維晶體管的質量抵消了肖特基勢壘，并阻礙了金屬和二維襯底的結點處的電子流動。與EBL不同，熱光刻技術使芯片設計人員可以輕松地對半導體尺寸進行成像，然后在需要時對電極進行構圖。此外，熱掃描探針光刻（t-SPL）制造系統有望從一開始就節省成本。最后，通過使用平行熱探針，熱制造方法可以輕松地擴展到大規模工業生產。

Elisa Riedo教授和博士生Liu Xiangyu他們使用熱掃描探針光刻技術和SwissLitho的NanoFrazor設備在紐約大學Tandon工程學院的PicoForce實驗室生產高質量的2D芯片。

Riedo博士希望t-SPL最終能夠從實驗室轉移到工廠進行批量生產。為了實現這一愿景，研究人員仍然需要繼續努力，以快速推進材料科學和芯片設計。有一天，這些t-SPL工具的分辨率將小于10納米，并且將在標準環境條件下使用120伏電源運行。

實際上，Riedo在熱測試方面的經驗可以追溯到十年以上，首先是在IBM Research-Zurich，然后是紐約城市大學研究生中心（CUNY）的高級科學研究中心（ASRC）。
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