比利時Hi-rel Cissoid宣布推出一種1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊，該模塊適用于汽車等應用。

Cissoid首席執行官Dave Hutton表示：“開發和優化快速開關SiC電源模塊并可靠地驅動它們仍然是一個挑戰，這款SiC智能電源模塊是針對極端溫度和電壓環境開發電源模塊和柵極驅動器的多年經驗的成果。有了它，我們很高興支持汽車行業向高效的電動汽車解決方案過渡。”

Cissoid聲稱，在600V 300A時，導通電阻為3.25mΩ，開關損耗為8.3mJ導通和11.2mJ截止，與IGBT電源模塊相比，損耗至少降低了三倍。

AlSiC針翅式基板經過水冷，結到流體的熱阻為0.15°C / W。在結點和-40°C下的最高工作溫度為175°C。

Cissoid-3相SiC-mosfet內置三個板載5W隔離電源，可在高達125°C的環境中以高達25kHz的頻率切換電源通道。峰值柵極電流為10A，抗擾度》 50kV / μs。隔離等級為3.6kV（50Hz，1min）。典型的初級-次級電容通常為11pF /相。

輸入為高電平有效5V施密特觸發器輸入，具有低電平有效選項，并且提供了隔離的每相開漏故障報告（具有每相選項）。

包括的保護包括欠壓鎖定（UVLO），主動米勒鉗制，去飽和檢測和軟關機。

模塊尺寸為103 x 154 x 43mm。

預計將在電動汽車的電動機驅動器，重型電動機驅動器和重型有源整流器中使用工業電機驅動器。