2019年十月上市的nova 5z率先實現了4G手機的射頻芯片國產化，擺脫了美國公司的束縛。

而之前，在華為手機中，海思芯片已占據了一個相對主導的地位。

本文由eWiseTech工程師根據自家搜庫中的信息整理，出現的具體設備都可在eWiseTech搜庫中搜索到。

根據這些信息，我們來探究一下海思芯片是如何走到今天的。

海思半導體有限公司于2004年成立。前身是華為集成電路設計中心。2009年推出首款的應用處理器K3V1。

而小E家第一臺出現海思芯片的華為手機是2013年3月上市的華為Mate，選用了40nm工藝沒有集成基帶的K3V2四核處理器，并配套使用了一顆電源管理芯片。

同年發布的Kirin 910處理器是采用28nm工藝的四核處理器，并且首次集成基帶Balong 710。自此，華為手機的處理器基本都是自家所生產的，Kirin處理器。

當然不止于此，海思隨后將目標定在了音頻解碼芯片和射頻收發芯片。

2014年6月發布的華為榮耀6中出現了2顆海思射頻收發芯片以及1顆音頻解碼芯片。

包括28nm工藝的Kirin920處理器，以及兩顆電源管理套片。榮耀6共使用了6顆海思芯片。

2015年，作為華為年度最旗艦的Mate8，幾乎將當時所有旗艦的配置都收入機身。處理器更是當時最新的海思Kirin 950，基帶依舊是Balong 720。

較上一代Kirin 930,各項參數都有所提升。

2016年海思Mate9中出現了海思Hi6523電池管理芯片。包含Kirin 960處理器在內，Mate9海思芯片的數量提升到8顆。

2017年海思開始涉足WiFi/BT/GPS芯片和除射頻收發以外的射頻部分。

17年10月發布的榮耀7X上發現海思的WiFi/BT/GPS芯片。

比榮耀7X晚1個月上市的Mate 10 Pro 雖然未使用這顆Hi1102。但處理器升級為10nm制程的Kirin970，基帶也已更新為Balong 750。

加上新出現的2顆海思低噪放芯片，Mate 10 Pro中的海思芯片增至9顆。

2019年，海思終于在實現4G手機射頻芯片的國產化的同時完成了“去美化”。

在2019年發布的nova 5z內共出現了11顆海思芯片，其中射頻部分均為海思芯片，包含1顆射頻收發芯片、3顆功率放大器和2顆低噪放芯片。

最為主要的是，整機中，沒有一顆來自美國的芯片。（Nova 5z具體的拆解內容將在年后第一時間奉上。）

作為5G元年，華為也發布了Mate 30 Pro 5G旗艦手機。

雖然這部手機中射頻部分還是采用了村田和高通的射頻芯片。但是整機中處理器，電源，音頻以及部分射頻芯片還是使用了海思芯片。共計21顆。

并且華為Mate 30 Pro 5G中用上了首款集成5G基帶的處理器- 990 5G。將外掛基帶巴龍5000直接封裝進處理器。

不僅如此，相較Kirin 990，Kirin 990 5G在許多地方都做了一些調整。

目前海思已經能夠在4G手機從處理器到射頻芯片都脫離美國控制實現了國產化。

相信5G手機的射頻芯片國產化應該會以更快的速度到來。

華為將芯片從剛開始的處理器，一步步發展到今日的射頻芯片國產化。其中套片的出現及發展又經歷了哪些變化呢？所以，下一次，我們來好好分析一下這些套片的發展吧。（編：歆玥）

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