1 月 3 日消息，據國外媒體報道，在芯片制造工藝方面，為蘋果、華為等制造芯片的臺積電近幾年走在行業的前列，率先量產了 7nm 工藝，更先進的 5nm 工藝預計在今年一季度投產。

但在下一代的 3nm 芯片制造工藝方面，臺積電可能會有來自三星的挑戰，后者擬率先使用這一先進的工藝制造芯片。

外媒是在三星電子實際領導人李在镕參觀韓國京畿道華城的半導體研發中心的報道中，透露三星擬率先量產 3nm 工藝的，在當地時間周四的這一次參觀中，李在镕他們討論了成為全球首個利用 3nm 工藝制造芯片的戰略。

從外媒的報道來看，三星電子的 3nm 制程工藝，將采用 GAA 架構，這一架構也是目前 FinFET 技術的繼任者，能使芯片制造商發展到微芯片的工藝范圍。

在 3nm 的工藝量產之前，三星還需要量產 5nm 工藝，三星在去年 4 月份完成了基于 EUV 技術的 5nm FinFET 制程技術的研發，預計在今年上半年能夠大規模量產。

三星方面表示，同 5nm 制程工藝相比，3nm GAA 技術能使芯片的理論面積縮小 35%，能耗則能降低 50%，性能則會提高 30%。

周四參觀華城的半導體研發中心，是三星電子披露的李在镕在 2020 年的首個官方行程，三星的發言人表示，李在镕再次參觀華城的報道體研發中心，凸顯了三星電子成為頂級非存儲芯片制造的決心。

亞馬遜、Facebook 等沒有芯片制造能力的科技巨頭們都已開始自研 AI 芯片和數據中心芯片，以更好的適應自身業務的發展，這也將導致對芯片制造需求的增加，三星已看好這一領域的發展，準備增加在芯片制造方面的投資，去年年底，三星電子已宣布計劃未來 10 年投資 133 萬億韓元，折合約 1147 億美元，用于發展芯片制造業務。