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半導體工藝節點的主觀因素和客觀因素

汽車玩家 ? 來源:集微網 ? 作者:Oliver ? 2019-12-08 10:10 ? 次閱讀
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晶圓代工的工藝節點有許多,做選擇的主觀因素是基于IC設計公司對于工藝和市場的判斷,而客觀因素,則是龍頭代工企業的產能問題。

目前市面上的高端手機處理器中,除了三星的Exynos芯片之外,幾乎全都采用臺積電的7nm或其衍生工藝制成,這直接讓臺積電市值飆升到了2849.23億美元,一舉超過三星成為了亞洲最有價值的公司。

臺積電第三季度財報顯示,7nm營收占比高達27%,臺積電今年新增的2%產能也全投在了這一節點,預計7nm年產能規模高達100萬片。盡管如此,臺積電還是低估了今年的晶圓代工市場,第四季度7nm產能接單全滿,明年上半年也供不應求,甚至連16nm、12nm以及10nm也開始陷入產能不足的境地。

越來越細分的工藝節點

隨著半導體工藝不斷演進,摩爾定律已經很難去完美的遵循。于是乎,各種過渡工藝成為了代工廠的法寶。在臺積電的原始7nm(N7)和5nm(N5)之間,就有N7P、N7+和6nm(N6)三種選擇,而N5也有一個增強版本N5P,如此細分的工藝節點,究竟在性能上有多大的區分呢?

根據集微網此前報道,N7P 與 N7 的設計規則相同,晶體管密度沒有增加,但新工藝優化了前端(FEOL)和中端(MOL)制程,可在相同功率下將性能提升7%、或在同頻下降低10%的功耗。

N7+引進了ASML的EUV設備,并使用了5層的EUV光罩層。相較于N7工藝,N7+可以將晶體管密度提升了20%,同等功耗水平下能夠提供10%的性能增幅,或者同性能節省15%的功耗。

N6雖然比N5低一個版本,但該節點的量產時間預計比N5還要晚。N6是N7的EUV等效工藝,其使用的EUV光罩層比N7+要多,而且兼容于N7,從而能讓大部分N7客戶更容易升級到這一節點。相比于N7,N6晶體管密度提升45%,可帶來15%的性能提升或20%的功耗下降。

N5是臺積電明年的重頭戲,目前已知僅有華為和蘋果將會倒入這一最先進的節點。該節點將全面使用EUV工藝(14-15層),相較于N7節點, N5的晶體管密度大增80%,并帶來同功耗15%的性能提升或者同性能30%的節能。

N5P工藝作為N5的進階版,在基礎上采取了FEOL 和 MOL 優化。相比于N5,N5P能讓芯片在相同功率下提升7%的性能,或在同頻下降低15%的功耗。

均以N7為基準,通過上表不難看出,臺積電這些細分節點每一代之間的區別并不大。所以,作為手機CPU廠商來說,最先進的工藝不一定是最好的選擇。市場消息透露,N7+流片費用為2.1億人民幣,而N5全光罩流片費用更高達3億人民幣,在這些細分工藝之間的升級同樣意味著高昂的成本,芯片廠商需要充分考慮個中商業因素。

芯片廠商的主觀抉擇

華為麒麟990系列的工藝選擇很好理解,5G版本集成的5G基帶會占用很多的晶體管,因此選擇了目前最優的N7+工藝,而4G版本在GPU和NPU大幅優化過后,N7足矣。

而關于高通剛剛發布的驍龍865,外界存在諸多疑問,例如“為何不用EUV工藝?”、“為什么不找三星代工?”。集微網記者從第四屆高通驍龍技術峰會上獲悉,高通選擇臺積電的N7P來代工驍龍865,一方面更符合商業利益,另一方面能讓供應鏈更多樣化,因為同時推出的驍龍765/765G是由三星7nm代工。

值得一提的是,驍龍865的“5G伴侶”驍龍X55基帶同樣是采用了臺積電的N7P工藝,由于X55大概率將會被下一代5G iPhone采用,業內人士@手機晶片達人 透露,原本高通也打算在三星代工驍龍X55,但蘋果方面表示僅會使用臺積電生產的驍龍X55。

最后,關于不支持5G的蘋果A13和聯發科的業界第一顆5G SoC “天璣1000”。前者因為不支持5G,退而求其次選擇N7P工藝,合情合理。那么集成了5G基帶的“天璣1000”為何只使用了臺積電N7工藝呢?

據了解, “天璣1000”采用了主頻高達2.6GHz的4個ARM Cortex-A77大核,而A77架構的性能相比上一代的A76架構提升了20%。GPU也采用了最新的ARM Mali-G77 MC9,相比上一代的Mali-G77提升了40%。

有了A77和G77這樣的左膀右臂,聯發科或許認為N7足矣。更重要的是,N7與N6兼容,聯發科作為第一個試水5G SoC的芯片廠商,一旦采用N7的天璣1000帶來了不錯的營收,那么在衍生版本中平滑的升級到N6將會幫助聯發科進一步擴大優勢。

客觀因素導致群雄逐“產”

各大手機廠商對于工藝節點的選擇,還受到一個重要的客觀因素影響,那就是臺積電的產能問題。據了解,臺積電今年N7+的產能十分稀缺,很難滿足大客戶的批量生產,所以只有麒麟990系列的5G版本采用了該工藝。

所以,對于臺積電而言,加購EUV機臺刻不容緩。因為N7之后的每一個工藝節點都需要用到EUV設備,而EUV設備的年產量十分有限,2018年總產量僅有22臺,今年雖然增加了產能,但預計也只有30臺左右。

其次,7nm和5nm的擴產必須雙管齊下。此前,臺積電大幅上調了今年的資本開支,從原定110億美元增加到了140-150億美元,增幅超過40%,其中有25億美元用于5nm工藝擴產,剩余用于先進工藝研發和其他工藝產能擴充。根據臺積電的規劃,5nm工藝首先在南科Fab 18工廠一期量產,明年Q3機電室產能達到5.5萬片晶圓/月,Fab 18工廠的二期工程也規劃了5.5萬片晶圓/月的產能。

相比于5nm,臺積電7nm產能緊張的形勢更為嚴峻。因為5nm目前已知僅有華為海思和蘋果這兩大客戶,而在7nm方面,明年臺積電不僅有聯發科、高通這兩個手機處理器大單,還有來自電腦CPU和GPU方面的AMD、挖礦機芯片方面的比特大陸搶奪產能,雖然蘋果和華為旗艦芯片轉向5nm能夠空置出許多7nm產能,但還需要考慮到各類中低端5G手機也將逐漸會跟進到7nm節點。

可預期的時間內,市場需求將始終超過臺積電的產能水平。

2020年將迎來5G手機的第一波爆發,手機芯片巨頭群雄逐鹿的好戲一觸即發,而這“鹿”的其中一面,則將會是臺積電的產能。

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