存儲器大廠美光科技（Micron）近日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建。美光執行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規劃，并應用先進3D NAND制程技術，進一步推動5G、人工智能（AI）、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將加碼在中國***DRAM廠投資，臺中廠擴建生產線可望在年底前落成。

美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成啟用典禮，共有超過500名客戶及供應商、經銷商、美光團隊成員、當地政府官員等共襄盛舉，而包括系統廠華碩、存儲器模組廠威剛、IC基板廠景碩、存儲器封測廠力成、IC渠道商文曄等美光在臺合作伙伴高層主管亦親自出席典禮。

美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區，以及位于新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴建的Fab 10A廠區將根據市場需求的趨勢調整資本支出，預計下半年可開始生產，但在技術及產能轉換調整情況下，Fab 10廠區總產能不變。

美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長上的長期投資，擴建的Fab 10A為晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進3D NAND技術先進制程節點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進入量產，第四代128層3D NAND將由浮動閘極（floating gate）轉向替換閘極（replacement gate）過渡，Sanjay Mehrotra強調，美光3D NAND技術和儲存方案是支援長期成長的關鍵，同時進一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。

美光的DRAM布局上，以日本廣島廠為先進制程研發重心，2017年在***成立DRAM卓越中心，***成為美光最大DRAM生產重鎮。美光近幾年來在臺投資規模不斷擴大，臺中廠區除了現有12英寸廠，也將加快投資進行新廠區擴建，計劃在年底前完成，而臺中廠區后段封測廠亦持續擴大產能。

隨著韓國存儲器廠三星及SK海力士開始評估在先進DRAM制程上采用極紫外光（EUV）微影技術，美光也開始評估將EUV技術應用在DRAM生產的成本效益，隨著DRAM制程由1z納米向1α、1β、1γ納米技術推進過程，會選擇在合適制程節點采用EUV技術方案。