作為SDRAM家族的新一代內(nèi)存產(chǎn)品，DDR3提供了相較DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM的后繼者，也是現(xiàn)時受各大公司歡迎的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。

DDR3產(chǎn)品最大的特性就在于功耗小且效率高，這讓它迅速獲得前代DDR的市場。究其高效率的關(guān)鍵，在于DDR3采用了相較于DDR2的1.8V更低的工作電壓：1.35V。那么，如何才能夠得到穩(wěn)定高效的供電電壓？如何又能夠簡單而有效地控制電壓？

為此，MPS重點(diǎn)推薦能夠完美解決這一系列問題的高集成度芯片---NB685。

規(guī)格：3mm*3mm

如此小巧的身軀，又是如何能夠承擔(dān)起如此艱巨的任務(wù)呢？

NB685簡約而不簡單，只需要簡單而又不占太大空間的外部電路，即可有效地控制供電電壓，使其能夠為諸如DDR3, DDR3L, LPDDR3, DDR4等內(nèi)存供電。并且輸出電壓可調(diào)節(jié)，只要微調(diào)外部電路即可。

當(dāng)然，NB685在出色完成基本任務(wù)的同時，本著精益求精的原則，始終走在同行業(yè)的前列，擁有諸如以下優(yōu)勢：

1 強(qiáng)大的負(fù)載能力

能夠承受12A的持續(xù)輸出電流，以及13A的瞬時輸出電流；1%的VTTREF輸出電壓精度；

2 極大地消除工作噪聲

NB685擁有USM MODE（超音頻模式），即使在低負(fù)載工作也不會造成聲音污染；

3 超低的靜態(tài)電流（135uA）

使芯片在待機(jī)過程中不產(chǎn)生過多的能源損耗，極大的提高了工作效率；

即使是低負(fù)載工作狀態(tài)，也能夠維持在60%以上的效率！

正常工作效率最高能夠達(dá)到90%以上！

4 采用COT控制原理

完美平衡了高頻狀態(tài)下的穩(wěn)定性與動態(tài)響應(yīng)性能之間的矛盾關(guān)系；

5 周全的保護(hù)電路

諸如過流保護(hù)、過溫保護(hù)、高低壓保護(hù)之類的芯片保護(hù)設(shè)計，極大程度地降低了芯片在惡劣環(huán)境或者突發(fā)事故中的損壞率，更好的為芯片保駕護(hù)航。

輸出短路測試

即使在輸出短路下，芯片的電流一直能夠控制在13A左右而不損壞芯片！

應(yīng)用領(lǐng)域：