中科院院士：未來人工智能助手將取代手機

近期，圖靈獎獲得者、中國科學院院士、清華大學人工智能學院院長姚期智公開表示，“無論我們喜歡與否，大約在未來三到五年內，每個人都會擁有一個人工智能助手，甚至更大膽地說，每個人都會擁有‘另一個自我’，就像如今幾乎每個人都帶著手機一樣?！币ζ谥钦J為，未來人工智能助手將取代如今的手機。
他強調，為了確保強大AI的安全發展，科學理解黑箱內部機制與統計型務實測試方法同樣重要，兩者缺一不可。如果人們把AI智能體視為等同于人類的主體，讓其控制關鍵基礎設施，必須非常謹慎。
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我國芯片領域，迎來重大突破
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近日，北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術，首次在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構、界面分布與纏結行為，指導開發出可顯著減少光刻缺陷的產業化方案。相關論文近日刊發于《自然-通訊》。
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長期以來，光刻膠在顯影液中的微觀行為是黑匣子，工業界的工藝優化只能靠反復試錯，這成為制約7納米及以下先進制程良率提升的關鍵瓶頸之一。為破解難題，研究團隊首次將冷凍電子斷層掃描技術引入半導體領域。這種方法一舉解決了傳統技術無法原位、三維、高分辨率觀測的三大痛點。該研究的意義遠超光刻領域本身。對于芯片產業而言，精準掌握液體中聚合物材料的微觀行為，將極大地推動包括光刻、蝕刻、清洗等在內的多個先進制造關鍵環節的缺陷控制和良率提升，為制造性能更強、更可靠的下一代芯片鋪平道路。
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合肥120億高端光罩項目開工

近日。總投資120億元的安徽晶鎂光罩項目在合肥高新區正式開工，標志著中國在高端光罩領域的自主可控能力邁出重要一步。光罩作為半導體產業的核心部件，被譽為“芯片之母”，過去中國高端光罩90%以上依賴進口，成為制約芯片產業發展的瓶頸。
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安徽晶鎂光罩項目用地面積約45.6畝，將專注于28nm及以上半導體光罩的研發、生產和銷售。項目一期投資65億元，計劃建設全新高標準自動化產線，預計2027年投產，滿產后月產能可達3200片。項目采用EBM-8000、EBM-9500等尖端設備，技術節點全面邁向28nm，將有效緩解國內高端光罩長期依賴進口的局面，提升產業鏈國產化水平。
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北斗系統進入規?；瘧眯码A段
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據報道，近日北斗三號衛星系統首席總設計師林寶軍在接受采訪時透露，我國北斗衛星導航系統（以下簡稱“北斗系統”）在技術升級和應用拓展方面取得顯著進展，正邁向更先進、更強大、更優質的新階段。
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自北斗系統全球組網以來，其穩定性、精準度和連續性始終保持世界一流水平?；仡櫛倍芬惶枙r期，我國成功突破“雙星定位”理論，實現了從無到有的區域試驗。如今，北斗系統已服務全球200多個國家和地區，定位精度從十米級提升至亞米級，時間同步能力進入納秒時代。
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蘋果超前布署iPhone18，傳預購零組件DRAM
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外媒報道，蘋果開始為明年第四季上市的iPhone 18做準備。蘋果已提前啟動零組件采購計劃，尤其是存儲器芯片，已向三星電子訂購1300萬顆DRAM。
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此前媒體報道仍在假定蘋果未向三星電子下單的情況下，蘋果預購零組件的可能行動的新聞。蘋果為確保iPhone 18性能表現，搶先預購重要零組件，因此可能向三星電子下單，要求明年第二季供應1,300萬顆10納米LPDDR5X 1b DRAM，因為iPhone 18全系列將標配12GB LPDDR5X RAM。
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專家預期蘋果讓iPhone 18的上市策略跟過去有所不同，即明年底先推出iPhone 18 Pro、iPhone 18 Pro Max和可折疊iPhone等高端版，然后在2027年上半年才可能推出基本款iPhone 18。
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力芯微推出EM14DN30Z雙N MOS
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力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源級雙N MOS，專為手機快充設計，采用背靠背共源級雙N MOS結構，能完美實現有線充電與無線充電的路徑隔離，避免不同充電模式切換時的電路沖突；同時配合Switched Capacitor Direct Charger（開關電容直充技術）的GATE驅動與過壓檢測，直接替代傳統OVP電路，既簡化了設計，又提升了防護可靠性。
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30V耐壓+14A大電流，扛住高壓大電流沖擊作為快充電路的“核心關卡”，EM14DN30Z的漏源電壓高達30V，能輕松應對主流手機快充的高壓需求；同時支持最大14A通流，即便是65W、120W級別的大電流快充，也能穩定承載，避免因電流過載導致的發熱或性能衰減。
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