下面將比較雙極性放大器與CMOS放大器的性能。雙極性器件與CMOS器件都可用于設計支持4mA偏置電流的開環放大器模塊，實現20dB增益。這里把（TI內部的）BiCMOS工藝為目標工藝技術。

　　表1是用于放大器的雙極性器件和CMOS器件的尺寸比較。CMOS器件較大的尺寸及伴隨的輸入電容嚴重限制了放大器的輸入帶寬。在本例中，采用雙極性放大器可實現低偏置電流下的低噪聲。但使用雙極性器件可能會有基電流噪聲，而這在CMOS器件中則可以忽略不計。該基電流噪聲的幅度取決于傳感器的阻抗和系統具體的實施情況。

　　表1：雙極性器件和COMS器件的尺寸比較

　　混合信號與低功耗應用

　　據觀察，在特定的醫療應用中，雙極性器件的模擬性能優于CMOS器件。但有些應用需要處理混合信號，對于模擬和數字兩種處理能力都有要求。這類應用一般都需要有極低功耗的運行能力。

　　例如，心臟起搏器等植入式設備要以有限的電源長期工作。這種設備既需要低功耗模擬電路來檢測身體的生理信號，又需要低功耗數字及存儲器功能來轉換和存儲這些信號。此外，高級植入式設備還需要低功耗無線通信為體外的基本單元傳輸信息。

　　通過對信號類型和工作模式進行更深入的分析，可以看出這些設備一般都具有低占空比。比如，它們只有在進行測量或處理的極短時間內被激活，其余大部分時間都處于休眠狀態。占空比不足 1%的情況在這些應用中并不少見。另一個特性是大多數信號本身都處于低頻率狀態。因此數據轉換器的帶寬和采樣頻率可限定為數十千赫茲甚至更低。此外，一些使用的外部電池供電的消費類設備也具有類似的性能與功耗要求。

　　除了具備足夠的工作性能外，根據以上要求，這些設備還需具備低斷態漏電電流。這就意味著在這種工藝技術中必須權衡性能與漏電。一般來說，這些工藝的柵極長度在130nm到350nm之間，將來也可能達到到90nm。對于可移植設備而言，漏電流性能可隨工藝、溫度或電源的變化而變化，這是一個重要參數，因為它將直接影響電池的使用壽命。圖4顯示了采用NMOS工藝設備的漏電流（Ioff）與驅動電流（Idrive）隨溫度變化而變化的情況。Idrive與溫度變化關系不大，而Ioff則具有顯著的溫度相關性。圖5是PMOS設備的溫度相關性圖。由于溫度變化幅度不大，Ioff隨溫度變動的情況可以接受。圖6所示的是環形振蕩器頻率，是一項顯示設備電源電壓功能典型的品質因數，在實際應用中也可作為權衡漏電與性能的準則。

　　圖4：NMOS設備中漏電流與驅動電流隨溫度變化

　　圖5：PMOS設備中漏電流與驅動電流隨溫度變化

　　圖6：環形振蕩器頻率被看作電源功能之一