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DS1870的查找表結構

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DS1870E-010+T&R RF 功率控制器 IC

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2023-02-05 18:26:59

如何使用DS185XEVKIT中的文件選項卡對器件進行編程

通過使用DS185x評估板(DS185XEVKIT)及其相關軟件,可以通過I2C串行接口對DS185x系列器件進行編程。DS185x器件具有內部EEPROM,用于配置器件設置、通用存儲器和校準查找
2023-02-07 13:47:321135

DS1870采用外接電阻時的調節范圍/分辨率

DS1870用于射頻(RF)功率放大器偏置控制,如果不接外部電阻,采用5V基準,其偏置電壓范圍為3V至5V。本應用筆記旨在展示如何利用外接電阻達到適當的范圍和分辨率。可以利用本文給出的鏈接電子表格計算添加外部電阻時的有效溫度系數。
2023-02-10 11:23:14990

DS1870查找結構

本應用筆記說明了DS1870 LDMOS RF功率放大器偏置控制器從輸入到輸出的控制通路,并討論了內部校準過程。
2023-02-10 11:24:321032

利用DS4303為LDMOS RF功率放大器提供偏置

DS1870偏置控制器是目前眾多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。這篇應用筆記對采用DS4303實現模擬偏置方案進行了說明。
2023-02-14 10:50:081737

DS1847/DS1848 溫度系數補充

DS1847和DS1848均具有兩個256位數字電阻和查找(LUT),可在-40°C至95°C的溫度范圍內自動調節電阻。 DS1848還具有128字節的用戶EEPROM,用于非易失性(NV)存儲
2023-05-17 11:39:201505

DS1847/DS1848查找的考慮因素

DS1847和DS1848為數字控制電阻。這些部件中的查找用于存儲 電阻位置可分立補償用戶在 范圍為 -40°C 至 +102°C,增量為 2°C。每個芯片提供兩個這樣的,一個用于電阻0(1 數據手冊中)和一個電阻1(數據手冊中的2)。它們可以通過選擇字節進行選擇 位于地址 E0。
2023-06-09 16:26:131010

DS1847/DS1848查找的考慮因素

DS1847和DS1848為數字控制電阻。這些部件中的查找用于存儲 電阻位置可分立補償用戶在 范圍為 -40°C 至 +102°C,增量為 2°C。每個芯片提供兩個這樣的,一個用于電阻0(1 數據手冊中)和一個電阻1(數據手冊中的2)。它們可以通過選擇字節進行選擇 位于地址 E0。
2023-06-10 14:32:451244

可變電阻和溫度索引查找補償穩壓器輸出

本文對比了標準配置下穩壓器與DS1859雙通道溫控電阻配對的相同穩壓器的結果。DS1859通過可變電阻和溫控查找(LUT)進行溫度補償。因此,DS1859清楚地說明了溫度索引LUT如何改善關鍵系統
2023-06-25 15:24:181192

MAX1870AETJ+ - (Maxim Integrated) - PMIC - 電池充電器

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2023-09-08 18:40:35

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