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做產品的都離不開電源,產品出問題也首先檢查供電是否正常。 今天給大家分享的是做好一個電源需要考慮哪些因素。...
電流模式僅需陶瓷輸出電容和ICVC管腳處簡單RC網絡就能對 兩個以上輸出負載瞬態作出穩定響應。 與電壓式控制器拓樸相比這種拓樸結構更省空間、省成本。更 簡單、體積更小、價格更便宜(盡管要電流檢測電阻)。...
HW工程師也很難說清楚的,只是說是按照設計手冊來添加的,今天小易就用ADS來仿真下添加匹配電阻和不添加匹配電阻的效果。 如下圖先在ADS中新建一個信號完整性原理圖,在DDR的分叉處添加一個50歐的上拉電阻。...
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體,也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵,該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。...
基于同樣的理由,過去的電路板上如果想進行配置的話可以使用跳線和跳線帽的方式來硬件控制通斷。而對于貼片式電路板的話,跳線的方式很難使用機器統一安裝,而使用空焊盤和0歐電阻的配合方式可以起到和跳線一樣的作用,在生產的時候就起到一定的配置作用。...
碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳...
雙向晶閘管與單向晶閘管一樣,也具有觸發控制特性。不過,它的觸發控制特性與單向晶閘管有很大的不同,這就是無論在陽極和陰極間接入何種極性的電壓,只要在它的控制極上加上一個觸發脈沖,也不管這個脈沖是什么極性的,都可以使雙向晶閘管導通。由于雙向晶閘管在陽、陰極間接任何極性的工作電壓都可以實現觸發控制,因此雙...
高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式,高擊穿電壓將嚴重限制器件的導通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說,室溫下其電流等級約為 20~40 A/cm2 ,當溫度增加到 200 ℃以上時,額定電流將下降 50%~70%。...
從6寸把它發展到8寸,這樣在襯底上做出來的器件,就可以降低單個器件的襯底所占的成本,這是一個國際上發展的趨勢。...
讓我們一起來認識一下原邊反饋內置2AMOS充電器電源ic U6117。U6117是一款應用于小功率AC/DC充電器和充電器電源高性能的原邊反饋控制器。...
『集成電路IC』,指采用半導體制備工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能的微型結構。比如電源管理IC,一個IC的價格是幾元錢到幾十元錢。...
功率半導體的功能主要是對電能進行轉換,對電路進行控制,改變電子裝置中的電壓和頻率,直流或交流等,均具有處理高電壓,大電流的能力。...
功率半導體是能夠支持高電壓、大電流的半導體。具有不同于一般半導體的結構,在使用高電壓、大電流時也不會損壞。另外,由于使用大功率容易發熱產生高溫,因而成為故障發生的原因。 因此,我們正努力減少功率半導體本身因發熱而導致的功率損失,進而有效地將其產生的熱量釋放到外部。...
碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現峰值,繼續升高溫度,導電率又會下降。...