完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫(kù)為您提供最新技術(shù)文章,最實(shí)用的電子技術(shù)文章,是您了解電子技術(shù)動(dòng)態(tài)的最佳平臺(tái)。
四款新型多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻(RF)解決方案范圍,適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的無人機(jī)系統(tǒng)雷達(dá)等在內(nèi)的脈沖和連續(xù)波 X-波段相控陣應(yīng)用。...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體,用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長(zhǎng)氮化鋁鎵(AlGaN)薄層并在界面施加應(yīng)力,從而產(chǎn)生二維電子氣(2DEG)。2DEG用于在電場(chǎng)作用下,高效地傳導(dǎo)電子。2DEG具有高導(dǎo)電性,部分原因是由于電子被困在界面處的非常細(xì)小的區(qū)域,從而將電子的遷移率從未施...
具體而言,SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用,比如工業(yè)領(lǐng)域。對(duì)于 GAN 來說,可使用場(chǎng)景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場(chǎng)中有著很好的應(yīng)用,例如 IGBT 這些產(chǎn)品都有著很好的使用,應(yīng)用領(lǐng)域在不斷增長(zhǎng)中,其主要?jiǎng)恿碜云囆袠I(yè)...
在這種情況下,氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而,目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術(shù)相比,氮化鎵生長(zhǎng)在昂貴的III/V族SiC晶圓上,采用昂貴的光刻技術(shù),生產(chǎn)成本特別高。最初嘗試在硅晶圓上生長(zhǎng)氮化鎵,但由于性能不佳和不具有成本優(yōu)勢(shì),沒有被市場(chǎng)采納...
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。...
DC-DC指直流轉(zhuǎn)直流電源(Direct Current)。 是一種在直流電路中將一個(gè)電壓值的電能變?yōu)榱硪粋€(gè)電壓值得電能的裝置。 如,通過一個(gè)轉(zhuǎn)換器能將一個(gè)直流電壓(5.0V)轉(zhuǎn)換成其他的直流電壓(1.5V或12.0V),我們稱這個(gè)轉(zhuǎn)換器為DC-DC轉(zhuǎn)換器,或稱之為開關(guān)電源或開關(guān)調(diào)整器。...
逆變器,別稱為變流器、反流器,是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件,由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成,主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開關(guān)管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負(fù)載等部分,可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電腦、電視、...
Buck converter 的輸入電流一定小于輸出電流,因?yàn)樵谀芰渴睾愕那疤嵯拢妷航档?,電流就?huì)變大,而由于交換式電源的轉(zhuǎn)換效率不可能達(dá)到 100%,所以實(shí)際上的輸入電流會(huì)比 208.3 mA 還要大。...
UPS不間斷電源的使用越來越廣泛,當(dāng)市電輸入正常時(shí),UPS 將市電穩(wěn)壓后供應(yīng)給負(fù)載使用,此時(shí)的UPS就是一臺(tái)交流市電穩(wěn)壓器,同時(shí)它還向機(jī)內(nèi)電池充電。...
開關(guān)電源(包括AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、AC/DC模塊和DC/DC模塊)與線性電源相比較,最突出的優(yōu)點(diǎn)是轉(zhuǎn)換效率高,一般可達(dá)80%~85%,高的可達(dá)90%~97%;其次,開關(guān)電源采用高頻變壓器替代了笨重的工頻變壓器,不僅重量減輕,體積也減小了,因此應(yīng)用范圍越來越廣。但開關(guān)電源的缺點(diǎn)是由于其...
碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料,其擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的10倍,熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境下工作,具有極低的開關(guān)損耗和高頻工作能力,減小模塊的體積和重量,顯著提高系統(tǒng)的效率,有利于節(jié)能降耗,廣泛應(yīng)用于風(fēng)光發(fā)電、光伏逆變、UPS儲(chǔ)能、新能源...
碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對(duì)電源開關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃,那樣更平穩(wěn),還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)取決于它具有極快的電源開關(guān)速率且無反向恢復(fù)電流量,與硅元器件對(duì)比,它可以大幅度降低開關(guān)損耗并完成非凡的能耗等級(jí)。...
溫度補(bǔ)償功能就是要將溫度對(duì)蓄電池的影響減至最小,但絕不是說有了充電電壓的調(diào)節(jié)系數(shù),蓄電池就可以在任意環(huán)境溫度下使用。因?yàn)椋瑴囟妊a(bǔ)償功能只是補(bǔ)償蓄電池在不同溫度情況下的化學(xué)反應(yīng)活性。...
由于碳化硅材料的帶隙很寬(4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV),碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場(chǎng)是硅材料和砷化鎵(GaAs)的5~20倍12。這一高極限電場(chǎng)可以用來制造高壓、大功率器件。...
所需經(jīng)費(fèi): 長(zhǎng)期穩(wěn)定(壽命20-30年) 可靠性 來源材料的供應(yīng)情況 成本效益 無環(huán)境危害...
從以往2170電池的脈沖激光器點(diǎn)焊,到目前4680電池線或激光點(diǎn)陣,激光焊接工藝提升,可能會(huì)從原來的脈沖激光器變?yōu)檫B續(xù)激光器,整體造價(jià)增加...
由于鋰離子電池的內(nèi)部結(jié)構(gòu)原因,放電時(shí)鋰離子不能全部移向正極,必須保留一部分鋰離子在負(fù)極,以保證在下次充電時(shí)鋰離子能夠暢通地嵌入通道。...
通過使用開關(guān)穩(wěn)壓器,可以有效減少電路發(fā)熱以節(jié)約能耗。此外,開關(guān)穩(wěn)壓器有助于減小散熱器尺寸,從而可以制作出更緊湊的電路以及發(fā)熱量更少的電源電路。...
首先從效率上說,DC/DC的效率普遍要遠(yuǎn)高于LDO,這是其工作原理決定的。其次,DC/DC有Boost,Buck,Boost/Buck,(有人把ChargePump也歸為此類);而LDO只有降壓型。...