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• 安森美碳化硅芯片的設(shè)計進(jìn)展及技術(shù)分析

  減小了電場集中效應(yīng)，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關(guān)單元有關(guān)，同時和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。...

  1727次閱讀 · 0評論 MOSFETSiC碳化硅

• 了解模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）：解密分辨率和采樣率

  分辨率和采樣率是選擇模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 時要考慮的兩個重要因素。為了充分理解這些，必須在一定程度上理解量化和奈奎斯特準(zhǔn)則等概念。...

  5414次閱讀 · 0評論 adc分辨率信號采樣率模數(shù)轉(zhuǎn)換器

• 基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

  通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。...

  653次閱讀 · 0評論 SiC氮化鎵GaN寄生電感

• IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計

  前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計，雖然今天聊的可能有些重復(fù)，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當(dāng)回顧和加重記憶吧。...

  3924次閱讀 · 0評論 IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計柵極驅(qū)動驅(qū)動電阻
  

• 淺談IGBT的閂鎖效應(yīng)

  閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)，一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng)，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象，當(dāng)然，閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。...

  4010次閱讀 · 0評論 IGBT晶體管MOS等效電路閂鎖效應(yīng)
  

• 一文詳解IGBT的過流和短路保護

  　IGBT是高頻開關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。...

  14835次閱讀 · 0評論 傳感器過流保護IGBT短路保護開關(guān)器件
  

• 功率放大器在磁場促心肌組織成熟化的實現(xiàn)中的應(yīng)用

  根據(jù)磁場刺激所需要的磁場強度和均勻磁場區(qū)域大小等要求，設(shè)計并自制了螺線管線圈。使用有機玻璃制作線圈骨架，選用0.67mm直徑的漆包線繞制緊密線圈，繞制146匝，線圈直徑和長度均為110 mm。...

  480次閱讀 · 0評論 線圈功率放大器信號發(fā)生器

• 電路設(shè)計使用的不同類型放大器

  放大器是用于描述產(chǎn)生和增加其輸入信號版本的電路的通用術(shù)語。但并非所有放大電路都相同，因為它們是根據(jù)其電路配置和操作模式進(jìn)行分類的。...

  1512次閱讀 · 0評論 傳感器放大器電路設(shè)計晶體管小信號

• 固態(tài)繼電器的構(gòu)成與原理

  相比于傳統(tǒng)的電磁式繼電器，下圖尺寸作為參考，實際應(yīng)用中與工作電壓電流等導(dǎo)致其尺寸大小會有所區(qū)別。...

  2641次閱讀 · 0評論 MOSFET可控硅固態(tài)繼電器SSR

• SAR ADC 的基本操作及工作原理

  對于每一位，SAR 邏輯向 DAC 輸出一個二進(jìn)制代碼，該代碼取決于正在審查的當(dāng)前位和已經(jīng)近似的先前位。比較器用于確定當(dāng)前位的狀態(tài)。...

  3552次閱讀 · 0評論 寄存器adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器

• IGBT的工作原理 影響IGBT可靠性因素有哪些

  IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。...

  2786次閱讀 · 0評論 開關(guān)電源變頻器IGBT電力晶體管

• 關(guān)于電阻不常見的6個參數(shù)介紹

  0歐姆電阻，并不是絕對的0歐姆，0這個數(shù)沒辦法計算的，所以誤差和功率，都和普通電阻不一樣。 誤差是<0.05Ω，功率不計算，只計算通過的電流。0402的0歐姆電阻額定電流是1A。 硬件設(shè)計的時候，如果在電源線上串聯(lián)0歐姆電阻，一定要算清楚電流。...

  1322次閱讀 · 0評論 電阻歐姆電阻

• 半導(dǎo)體的工作原理 N型和P型半導(dǎo)體有什么區(qū)別？

  半導(dǎo)體光放大器 (SOA) 是半導(dǎo)體中發(fā)現(xiàn)的一種放大光的元件。用戶可以在用于實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心之間通信的光收發(fā)器模塊中找到 SOA。...

  3213次閱讀 · 0評論 集成電路二極管半導(dǎo)體晶體晶體管

• 一文解析MOS管/三極管/IGBT之間的關(guān)系

  PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，摻雜是半導(dǎo)體的靈魂，先明確幾點。...

  2591次閱讀 · 0評論 三極管二極管MOS管IGBTPN結(jié)

• MOSFET的基礎(chǔ)知識

  金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源，并主要用作開關(guān)或用于放大電信號。MOSFET的控制是通過向柵極施加特定的電壓來進(jìn)行的。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時，電流通過在 體區(qū)（稱為bulk或body）中形成的溝道，從MOSFET的漏極流向...

  3282次閱讀 · 0評論 MOSFET半導(dǎo)體晶體管FETp溝道

• 運放-7-壓擺率SR造成的問題現(xiàn)象

  可以看懂，輸入1.5V的時候，輸出嚴(yán)重失真，不僅幅度達(dá)不到1.5V，波形也酷似三角波。這是為啥嗯？1V輸入的時候沒問題，1.5V的時候輸入有問題，難道是運放仿真模型不對，為非軌至軌？...

  1956次閱讀 · 0評論 正弦波運放三角波

• 如何判斷三極管是否飽和

  　三極管的主流作用是開關(guān)和放大。...

  8823次閱讀 · 0評論 三極管開關(guān)電路放大電路截止飽和
  

• 三極管的靜態(tài)工作點分析

  　什么是負(fù)載線? 負(fù)載線是連接三極管兩個極端狀態(tài)的線，即飽和與截止。...

  5533次閱讀 · 0評論 三極管負(fù)載截止飽和靜態(tài)工作點
  

• 晶閘管的基礎(chǔ)知識

  晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱，又稱作可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier——SCR)，以前被簡稱為可控硅。...

  10713次閱讀 · 0評論 二極管可控硅晶閘管SCR伏安特性
  

• 電力二極管的工作原理、基本特性及主要參數(shù)

  電力二極管（Power Diode）自20世紀(jì)50年代初期就獲得應(yīng)用，但其結(jié)構(gòu)和原理簡單，工作可靠，直到現(xiàn)在電力二極管仍然大量應(yīng)用于許多電氣設(shè)備當(dāng)中。...

  13336次閱讀 · 1評論 二極管電流電力PN結(jié)伏安特性
  
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