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• 米勒效應(yīng)對(duì)MOSFET的危害

  對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開(kāi)關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來(lái)非常不利的影響。...

  5830次閱讀 · 0評(píng)論 二極管MOSFETMOS管寄生電容輸入電容
  

• 一文詳解三極管和MOS管

  三極管有三個(gè)端口，分別是基極(Base)，集電極（collector）和發(fā)射極(Emitter)。...

  29845次閱讀 · 0評(píng)論 三極管MOSFETMOS管晶體管PMOS
  

• 差分放大電路對(duì)共模信號(hào)和差模信號(hào)的影響

  當(dāng)集電極電流Icq有微小變化時(shí)，會(huì)在發(fā)射極電阻Re上產(chǎn)生壓降，而Re上的壓降又會(huì)影響b-e之間的電壓，從而會(huì)影響Icq，達(dá)到穩(wěn)定工作點(diǎn)。...

  9320次閱讀 · 0評(píng)論 晶體管差分放大電路差模信號(hào)共模信號(hào)基極電流
  

• 使用精密模擬MCU外設(shè)創(chuàng)建高價(jià)值、信號(hào)密集型設(shè)計(jì)

  使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 的電機(jī)控制、無(wú)線電控制、音頻樣本生成和波形生成是需要 MCU 具有更高精度模擬功能的典型應(yīng)用。由于 MCU 不是無(wú)線電的天然配套設(shè)備，因此它們通常需要專用的高精度模擬組件或外圍設(shè)備才能在無(wú)線電信號(hào)存在時(shí)“表現(xiàn)良好”。...

  774次閱讀 · 0評(píng)論 控制器高精度無(wú)線電數(shù)模轉(zhuǎn)換器
  

• 數(shù)字電位器模擬對(duì)數(shù)錐度以準(zhǔn)確設(shè)置增益

  數(shù)字電位器 （dpots） 是無(wú)處不在的組件，具有各種封裝、電阻和分辨率。然而，除了通常的電阻與設(shè)置的線性函數(shù)之外，幾乎沒(méi)有人實(shí)現(xiàn)任何東西。這一事實(shí)給需要寬范圍（即數(shù)十倍）增益調(diào)整動(dòng)態(tài)范圍的應(yīng)用帶來(lái)了麻煩。...

  1015次閱讀 · 0評(píng)論 電阻封裝數(shù)字電位器
  

• 模擬開(kāi)關(guān)將555定時(shí)器轉(zhuǎn)換為脈寬調(diào)制器

  本設(shè)計(jì)理念描述了一種從基于555的自由運(yùn)行振蕩器產(chǎn)生可變占空比波形的新方法。該電路的寬調(diào)制范圍、對(duì)寬占空比值范圍內(nèi)的高度線性控制以及出色的線性度使其成為基于 PWM（脈寬調(diào)制）的控制應(yīng)用的理想選擇。...

  1255次閱讀 · 0評(píng)論 電路振蕩器PWM
  

• 了解用于模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器的單傳輸對(duì)串行通信的新JESD204標(biāo)準(zhǔn)

  8B/10B 編碼數(shù)據(jù)對(duì)時(shí)鐘恢復(fù)電路很友好，因?yàn)樗哂杏纬涕L(zhǎng)度限制。它還適用于交流耦合，因?yàn)樗侵绷髌胶獾摹?B/10B 編碼涉及將 8 位八位字節(jié)轉(zhuǎn)換為 10 位代碼組。在每個(gè)代碼組中，1 和 0 的數(shù)量之差絕不會(huì)超過(guò)兩個(gè)。通過(guò)監(jiān)測(cè)連續(xù)代碼組中 1 和 0 的數(shù)量，計(jì)算出運(yùn)行差異。...

  1146次閱讀 · 0評(píng)論 耦合時(shí)鐘編碼
  

• 無(wú)功負(fù)載和網(wǎng)絡(luò)如何影響模擬電路中的相移

  如果運(yùn)算放大器具有阻性輸出阻抗，對(duì)于此運(yùn)算放大器（LF411），單位增益約為 0.1 - 10 Ω，我們預(yù)計(jì)該電容器會(huì)導(dǎo)致高于截止頻率的 -90° 相移。讓我們看看發(fā)生了什么。...

  1190次閱讀 · 0評(píng)論 電容器運(yùn)算放大器阻抗
  

• 模擬運(yùn)算放大器的失調(diào)電壓變化

  運(yùn)算放大器內(nèi)部不可避免的組件不匹配會(huì)導(dǎo)致 0 V 差分輸入產(chǎn)生非零正或負(fù)輸出電壓。輸入失調(diào)電壓是必須施加到輸入端子之一的電壓，以補(bǔ)償不匹配，從而實(shí)現(xiàn) 0 V 輸入的 0 V 輸出。...

  1667次閱讀 · 0評(píng)論 運(yùn)算放大器電壓仿真
  

• 什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對(duì)比

  由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。...

  6265次閱讀 · 0評(píng)論 SiC氮化鎵GaN
  

• MOS管的三個(gè)二級(jí)效應(yīng)

  前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu)，符號(hào)，閾值電壓，四種工作狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式，相信大家對(duì)MOS管的工作原理有了一定的了解，這篇給大家介紹后續(xù)電路分析中不可缺少的MOS管的三個(gè)二級(jí)效應(yīng)。...

  7289次閱讀 · 0評(píng)論 模擬電路MOSFETMOS管NMOS管PMOS管
  

• MOS管的工作狀態(tài)以及NMOS管的I/V特性曲線

  根據(jù)上一篇對(duì)CMOS工作原理的分析，我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個(gè)區(qū)域，以NMOS為例。...

  48113次閱讀 · 0評(píng)論 三極管MOS管NMOSPMOS特性曲線
  

• MOSFET的結(jié)構(gòu)和閾值電壓

  　首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)這是MOSFET的簡(jiǎn)易符號(hào)，表示了三個(gè)端子：柵(G)、源(S)和漏(D)。 因?yàn)檫@種器件是對(duì)稱的，因而可以源漏互換。 大家都知道，在...

  6919次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管閾值電壓
  

• 運(yùn)算放大器的輸出電壓計(jì)算

  因?yàn)榫w管放大器之前已經(jīng)分析過(guò)MOSFET電路增益的計(jì)算，輸出電阻，輸入電阻的計(jì)算，還有頻率特性。 想要設(shè)計(jì)一個(gè)各項(xiàng)指標(biāo)滿足要求的放大電路，比較復(fù)雜。...

  27820次閱讀 · 0評(píng)論 放大器放大電路運(yùn)算放大器晶體管輸出電壓
  

• 放大器的分類

  電學(xué)中能夠?qū)崿F(xiàn)信號(hào)、功率放大的器件，稱為放大器，英文為Amplifier，簡(jiǎn)稱AMP。...

  6584次閱讀 · 0評(píng)論 放大器放大電路運(yùn)算放大器運(yùn)放晶體管
  

• 一文詳解三極管

  這次我們把范圍擴(kuò)大到NPN和PNP倆種管子，也給大家一些例子，例子由易到難，如果全部都能答上來(lái)，那三極管這里你算是吃透了。...

  2914次閱讀 · 0評(píng)論 三極管晶體管集電極pnpNPN
  

• 三極管電流鏡電路設(shè)計(jì)

  我們大致了解了三極管的分類和工作模式，介紹概念不說(shuō)應(yīng)用基本沒(méi)有什么深刻的印象。...

  1848次閱讀 · 0評(píng)論 三極管電路設(shè)計(jì)電流鏡集電極基極電流
  

• 納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應(yīng)用電路

  GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動(dòng)器的所有優(yōu)點(diǎn)，加上單個(gè)表面貼裝封裝中的控制和保護(hù)電路，適用于高功率密度充電器、適配器和輔助電源應(yīng)用。...

  754次閱讀 · 0評(píng)論 充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體
  

• 高電壓平臺(tái)和SiC碳化硅功率開(kāi)關(guān)的核心

  電流方面，峰值充電電流可達(dá)600+A；電壓方面，量產(chǎn)電動(dòng)車的架構(gòu)電壓普遍在400-500V，而小鵬實(shí)現(xiàn)了遠(yuǎn)超行業(yè)平均工作電壓的800V級(jí)，并可兼容不同電壓充電樁。...

  1038次閱讀 · 0評(píng)論 電動(dòng)車功率開(kāi)關(guān)SiC充電樁碳化硅
  

• 國(guó)內(nèi)外碳化硅裝備發(fā)展?fàn)顩r SiC產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)及關(guān)鍵裝備

  SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類似，一般分為單晶襯底、外延、芯片、封裝、模組及應(yīng)用環(huán)節(jié)，SiC單晶襯底環(huán)節(jié)通常涉及到高純碳化硅粉體制備、單晶生長(zhǎng)、晶體切割研磨和拋光等工序過(guò)程，完成向下游的襯底供貨。...

  2660次閱讀 · 0評(píng)論 ASIC芯片碳化硅第三代半導(dǎo)體
  
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