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在解釋如何測量 ADC 噪聲之前，重要的是要了解，當您查看 ADC 數據表規格時，相關指標參數表征對象是 ADC，而不是設計的電子系統。因此，ADC 制造商測試 ADC 噪聲的方式和測試系統本身應該展示 ADC 的能力，而不是測試系統的限制。因此，在不同系統或不同條件下使用 ADC 可能會導致噪聲性...
本文主要對ADC的噪聲進行分析分類，并分析了高低分辨率的ADC特性差異，以便于利用ADC特性進行更好的系統設計。...
想象一個場景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉化為交流電送到電機的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關我開，你開我關...
但是和二極管不同，這三塊半導體有兩種組成三極管的情況：兩邊P型半導體，中間N型半導體（PNP型）和兩邊N型半導體，中間P型半導體（NPN型）。...
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT）...
二極管大家都很熟悉，前面也好幾次對其工作特性分析過，具有導電單向性，其主要性能參數有：反向峰值電壓，正向平均電流，正向耗散功率，pn結電容、溫度效應，一般大家都比較關心靠前的那些參數指標，卻很少過多關注后面兩個參數:pn結電容和溫度效應，其中pn結電容這里不予展開討論，以后再將(主要是高頻信號里面才...
BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發大量的電流在源極和漏極之間流動的電壓。...
柵極電荷是指為導通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時也稱為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd 表示柵極-漏極的電荷量，也稱米勒電荷量。...
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對最大值電壓，在管子工作時，這兩端的電壓應力不能超過最大值。在MOSFET選型時，VDS電壓都要降額80%選用。...
EMI的干擾和認證在整個電力電子行業應用中都是一個痛點，對于Buck型變換器而言，由于其輸入電流是斷續的...
隨著現代電子技術的進步與發展，電子產品的發展趨向于微型化和密集化，電子器件的功率計散熱要求也隨之增加。...
比如兩個芯片之間的供電電壓不一樣，一個是5V，另一個是3.3V，那么在兩者之間進行通訊建立連接關系時，就需要進行電平轉換。...
該芯片集成了便攜式低功率心電圖應用的所有特性，內置單通道 24 位 Delta-Sigma (ΔΣ)模數轉換器(ADC) 、可編程增益放大器(PGA)、內部參考和振蕩器。...
Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取決于VGS的值。...
MOSFET又叫場效應晶體管，要想學好MOS管，首先我們要對標三極管來學。我們說，三極管有N管和P管，同樣的，MOS管也有N型和P型。...
MOSFET是金屬－氧化物－半導體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）...
由于對高比特率光互連的需求不斷增長，硅光子學（SiPh）技術得到了相當多的關注。由于硅光子芯片和單模光纖（SMFs）之間的光斑尺寸差異而導致的低耦合效率仍然是一個具有挑戰性的問題。...
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