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• SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應用領域和發展趨勢

  碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的物理、化學和電學性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環境下具有很高的穩定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應用領域和技術發展趨勢進行簡要介紹。...

  5466次閱讀 · 0評論 MOSFET半導體SiC碳化硅

• 在Virtuoso中認識PMOS管和NMOS管

  具體的在版圖設計中PMOS管和NMOS管是什么樣子的，我們來看看吧...

  13632次閱讀 · 0評論 反相器CMOS晶體管VirtuosoNMOS管PMOS管
  

• 碳化硅的發展趨勢及其在儲能系統（ESS）中的應用介紹

  與傳統的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術相比，碳化硅（SiC）技術具有更多優勢...

  1438次閱讀 · 0評論 電動汽車IGBT晶體管儲能系統碳化硅

• SAR ADC的基本原理是什么？

  逐次逼近，顧名思義，多次轉換和Bit計算中，A/D數字碼輸出逐漸逼近輸入值。其算法核心就是“二分搜索（Binary Search）”，該算法能夠高效快速的接近目標值。...

  1835次閱讀 · 0評論 寄存器adc比較器模數轉換器LSBSAR ADC
  

• 關于二極管，你了解多少？

  二極管是很常見的電子元器件，有兩個極，即陰極和陽極，二極管具有單向導電性，電流只能從陽極流向陰極，電壓反向時二極管截止。...

  1664次閱讀 · 0評論 二極管電源輸出漏電流載流子
  

• 什么是截止、飽和、放大？一文讀懂三極管特性曲線

  當發射結小于開啟電壓，集電結反偏，此時Ib和Ic幾乎都為零，集電結反向偏置再強也沒用，此時Ube太小，發射區不能發送電子到基區，或者發送很少電子到基區，也就是不能形成明顯集電極電流。...

  16124次閱讀 · 0評論 三極管電阻器狀態機共射放大電路偏置電壓
  

• 氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優缺點

  氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關速度等優勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。...

  1080次閱讀 · 0評論 導通電阻功率器件氮化鎵半導體器件功率芯片

• 如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

  在高功率應用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。...

  1606次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT寄生電容柵極驅動器碳化硅
  

• 碳化硅為什么如此火爆呢

  隨著新能源汽車市場的爆發，電動汽車已經成為碳化硅最大的下游應用市場，行業普遍預估，2027年車用碳化硅功率器件市場規模能達到60億美元。...

  901次閱讀 · 0評論 逆變器功率器件SiC碳化硅
  

• IGBT的應用領域及現狀分析

  近年來，新型功率開關器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認識，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件(圖2)，IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫形式，是絕緣柵雙極型晶體管。與以前的各種電力電...

  5453次閱讀 · 0評論 三極管新能源汽車IGBT功率半導體
  

• SiC-MOSFET與IGBT的區別是什么

  相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。...

  5265次閱讀 · 0評論 MOSFET元器件導通電阻IGBT碳化硅
  

• 什么是達林頓對管？達林頓對管的特性

  早期的硅晶體管共發射極電流增益 β 值很低，而且不同樣品的 β 值變化很大。對于良好的硅生長結晶體管樣品，β 的范圍可能在 5 到 15 之間。鑒于這些有源元件的缺點，電子電路工程師在設計電路中犯了難，主要表現在電路不穩定，或者電路放大倍數偏差比較大。...

  4482次閱讀 · 0評論 集成電路電流晶體管達林頓
  

• IGBT的結構和應用

  雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統”技術，但它在高功率應用中仍然發揮著重要作用。...

  1964次閱讀 · 0評論 半導體IGBTSiCGaN碳化硅
  

• 如何采用碳化硅設計高效可再生能源系統呢？

  太陽能逆變器和儲能系統應用以及其他可再生能源系統正在促使能源網絡實現現代化，以提高其韌性，滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。...

  525次閱讀 · 0評論 二極管MOSFETPCB布局碳化硅太陽能逆變器

• 運算放大器和電壓比較器的基本原理

  運算放大器和電壓比較器在原理符號上確實是一樣的，都有5個引腳，其中兩個引腳為電源+和電源-，還有兩個引腳為同相輸入端（+）和反向輸入端（-），最后一個引腳是輸出端。...

  1666次閱讀 · 0評論 原理圖運算放大器電壓比較器引腳
  

• 差分放大器和運算放大器的區別

  差分放大器和運算放大器都是常見的電子元件，它們在電路中扮演著不同的角色。本文將介紹差分放大器和運算放大器的區別。...

  6963次閱讀 · 0評論 運算放大器電子元件差分放大器輸入端口

• 晶閘管的基本結構、工作原理及應用

  晶閘管（Thyristor）是一種具有四層結構的半導體器件，也被稱為可控硅。它由兩個PN結、一個門極和一個控制極組成，具有四層結構。晶閘管的工作原理是利用門極信號對控制極施加不同的電壓，從而控制晶閘管的導通角度，實現對電流的控制。...

  8715次閱讀 · 0評論 半導體可控硅晶閘管電動機PN結

• 二極管和三極管的區別

  二極管和三極管是兩種常見的半導體器件，它們在電子電路中都有著廣泛的應用。盡管它們都屬于半導體器件，但它們之間存在著一些顯著的區別。本文將詳細介紹二極管和三極管的區別。...

  13524次閱讀 · 0評論 三極管二極管半導體PN結

• 可控硅和場效應管的區別

  可控硅（Thyristor，縮寫為SCR）和場效應管（Field Effect Transistor，縮寫為FET）是兩種常見的半導體器件，它們在電子電路中有著廣泛的應用。盡管它們都屬于半導體器件，但它們之間存在著一些顯著的區別。本文將詳細介紹可控硅和場效應管的區別。...

  5666次閱讀 · 0評論 半導體場效應管可控硅FET

• 超結MOSFET在照明電源領域的應用分析

  LED（Lighting Emitting Diode）照明是一種使用發光二極管的照明技術，它是一種半導體固態發光器件。LED利用固態半導體芯片作為發光材料，當半導體中的載流子發生復合時，會釋放出過剩的能量，從而導致光子的發射。這些光子直接產生紅、黃、藍和綠色的光。基于三基色原理，通過添加熒光粉，L...

  1332次閱讀 · 0評論 led二極管MOSFET發光二極管照明電源
  
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