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      電子發燒友網>電子資料下載>電子論文>納米材料論文>CVD金剛石厚膜晶格缺陷分析

      CVD金剛石厚膜晶格缺陷分析

      2009-05-16 | rar | 333 | 次下載 | 5積分

      資料介紹

      摘要：應用X射線衍射儀的薄膜附件對熱絲化學氣相沉積金剛石厚膜的成核面和生長面進行分析，結果表明，金剛石厚膜的晶格常數從生長面到形核面沿深度方向是逐漸變小的。化學氣相沉積金剛石初期生長的晶體存在大量的空位等缺陷，晶格松弛，在金剛石膜持續生長過程中，形核面和膜內部在高溫下發生長時間的自退火，缺陷濃度下降，晶格松弛現象消除，晶格常數變小并趨于理論值。試驗表明，經長時間高溫自退火的金剛石厚膜比薄膜具有更高的耐磨性。
      關鍵詞：CVD金剛石膜；X射線衍射；晶格松弛；自退火；耐磨性能

      化學氣相沉積（CVD）金剛石厚膜具有廣闊的應用前景，如用作機械加工刀具、電子封裝熱沉材料、光學窗口材料等[1]。但沉積金剛石過程中會產生大量缺陷，導致CVD金剛石膜性能下降[2]，這些缺陷包括雜質、空位等，它們在微觀上表現為晶格常數的變化。本文應用X射線衍射儀分析了熱絲CVD法沉積的金剛石厚膜晶格常數的變化規律，采用晶格松弛的觀點解釋不同厚度金剛石膜的性能差異。

      金剛石
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