2SJ661 P-Channel Power MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用指南

引言

在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電機(jī)驅(qū)動等電路中。今天要介紹的是ON Semiconductor的2SJ661 P - Channel Power MOSFET，它具有出色的性能和多種封裝形式，能滿足不同的設(shè)計需求。

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產(chǎn)品概述

2SJ661是一款P - Channel功率MOSFET，其額定電壓為 - 60V，額定電流為 - 38A，導(dǎo)通電阻低至39mΩ，提供TO - 262 - 3L和TO - 263 - 2L兩種封裝形式。該產(chǎn)品適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場景。

特性亮點

低導(dǎo)通電阻：在4V驅(qū)動下，典型導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)} = 29.5mΩ)，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗較小，能有效提高電路效率。
高電流能力：連續(xù)漏極電流（DC）可達(dá) - 38A，脈沖漏極電流（PW ≤ 10μs，占空比 ≤ 1%）可達(dá) - 152A，能夠滿足大電流應(yīng)用的需求。

規(guī)格參數(shù)

絕對最大額定值

參數(shù)	符號	條件	額定值	單位
漏源電壓	(V_{DSS})		- 60	V
柵源電壓	(V_{GSS})		±20	V
漏極電流（DC）	(I_{D})		- 38	A
漏極電流（脈沖）	(I_{DP})	PW ≤ 10μs，占空比 ≤ 1%	- 152	A
允許功率耗散	(P_{D})		1.65	W
(T_{c}=25^{circ}C)		65	W
溝道溫度	(T_{ch})		150	°C
存儲溫度	(T_{stg})		- 55 至 + 150	°C
雪崩能量（單脈沖）	(E_{AS})	(V{DD}=-30V)，(L = 200μH)，(I{AV}=-38A)	250	mJ
雪崩電流	(I_{AV})	(L ≤ 200μH)，單脈沖	- 38	A

電氣特性

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	(V_{(BR)DSS})	(I{D}=-1mA)，(V{GS}=0V)	- 60			V
零柵壓漏極電流	(I_{DSS})	(V{DS}=-60V)，(V{GS}=0V)			- 1	μA
柵源泄漏電流	(I_{GSS})	(V{GS}=±16V)，(V{DS}=0V)			±10	μA
截止電壓	(V_{GS(off)})	(V{DS}=-10V)，(I{D}=-1mA)	- 1.2		- 2.6	V
正向傳輸導(dǎo)納	(vert y_{fs}vert)	(V{DS}=-10V)，(I{D}=-19A)	18	31		S
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻1	(R_{DS(on)1})	(I{D}=-19A)，(V{GS}=-10V)	29.5		39	mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻2	(R_{DS(on)2})	(I{D}=-19A)，(V{GS}=-4V)	40		56	mΩ
輸入電容	(C_{iss})	(V_{DS}=-20V)，(f = 1MHz)		4360		pF
輸出電容	(C_{oss})	(V_{DS}=-20V)，(f = 1MHz)		470		pF
反向傳輸電容	(C_{rss})	(V_{DS}=-20V)，(f = 1MHz)		335		pF
開通延遲時間	(t_{d(on)})			33		ns
上升時間	(t_{r})			285		ns
關(guān)斷延遲時間	(t_{d(off)})			295		ns
下降時間	(t_{f})			195		ns
總柵極電荷	(Q_{g})	(V{DS}=-30V)，(V{GS}=-10V)，(I_{D}=-38A)		80		nC
柵源電荷	(Q_{gs})	(V{DS}=-30V)，(V{GS}=-10V)，(I_{D}=-38A)		15		nC
柵漏“米勒”電荷	(Q_{gd})	(V{DS}=-30V)，(V{GS}=-10V)，(I_{D}=-38A)		12		nC
二極管正向電壓	(V_{SD})	(I{S}=-38A)，(V{GS}=0V)	- 1.0		- 1.2	V

封裝信息

TO - 262 - 3L封裝

最小包裝數(shù)量：50pcs/雜志
標(biāo)記：J661、LOT No.
TO - 263 - 2L封裝
最小包裝數(shù)量：800pcs/卷軸
包裝類型：DL

應(yīng)用注意事項

由于2SJ661是MOSFET產(chǎn)品，在使用時應(yīng)避免將其放置在高電荷物體附近，以免受到靜電等因素的影響，導(dǎo)致元件損壞。

同時，需要注意的是，最大額定值僅為應(yīng)力額定值，超過推薦工作條件的長時間使用可能會影響器件的可靠性。在實際應(yīng)用中，所有工作參數(shù)（包括“典型值”）都必須由客戶的技術(shù)專家針對每個客戶應(yīng)用進(jìn)行驗證。

總結(jié)

2SJ661 P - Channel Power MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、高電流能力和多種封裝形式，為電子工程師在設(shè)計電源管理、電機(jī)驅(qū)動等電路時提供了一個可靠的選擇。在使用過程中，我們需要充分了解其規(guī)格參數(shù)和應(yīng)用注意事項，以確保電路的穩(wěn)定運行。你在使用MOSFET時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

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產(chǎn)品概述

特性亮點

規(guī)格參數(shù)

絕對最大額定值

電氣特性

封裝信息

TO - 262 - 3L封裝

TO - 263 - 2L封裝

應(yīng)用注意事項

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