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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>1.6–2.2GHz低噪聲、高增益GaAs E-pHEMT中的雙放大器設計性能

1.6–2.2GHz低噪聲、高增益GaAs E-pHEMT中的雙放大器設計性能

2023-07-20 | pdf | 0.16 MB | 次下載 | 免費

資料介紹

  一種雙低噪聲放大器的設計與實現(xiàn)介紹了適用于平衡接收機前端應用的2GHz頻段的LNA模塊。該模塊設計用于操作由5 V電源供電,帶有便于調節(jié)的控制電壓最佳噪聲系數(shù)的偏置條件該設計采用Avago Technologies專有的0.5μm GaAs制造增強模式偽晶高電子遷移率晶體管(e-PHET)工藝。此模塊適用于平衡放大器與外部3dB混合電路結合使用時的應用,提供0.55–0.8 dB的極低噪聲系數(shù)(NF),與38–42的中等高OIP3(輸出三階截獲點)增益為28–32 dB時為dBm。它還能夠提供更多的P-1 dB在180mA電流消耗時大于20dBm。

  接收機前端電路的設計者面臨越來越多的挑戰(zhàn)在沒有影響性能。例如,NF小于1此外,dB和30dB的增益是常見的要求至良好的線性。在無線基站中,接收放大器通常連接到非理想源(例如,具有長電纜的天線)。為了緩解這種情況,這樣的放大器通常在采用混合動力的平衡模式下運行耦合器。在Avago Technologies,取得了重大進展已通過專有技術同時實現(xiàn)低噪聲、高增益、良好的線性度和效率0.5μm GaAs電子HEMT工藝。在本文中,我們提出在設計一個滿足所有緊湊型5x6x1.1 mm3中的上述挑戰(zhàn)模塊,只需要外部3dB混合耦合器和一些標準的去耦合電容器

  圖1顯示了一個典型的平衡放大器設計。通常,平衡放大器要么完全由分立部件組成,要么部分集成有源器件(例如,雙封裝中的晶體管)。這樣的設計充滿了技術挑戰(zhàn),例如獲得匹配的組件和控制由于布局和零件造成的性能變化。更不用說工程師的時間了在優(yōu)化數(shù)十個組件時消耗部件組裝和庫存成本。在本文中,我們描述了一種完全集成的印刷電路板包括MMIC和離散匹配部件的模塊。唯一的外部部件是混合耦合器和一些標準(高值)去耦合電容器。這為設計人員提供了靈活性,可以根據(jù)其頻率、帶寬和插入來實現(xiàn)他們喜愛的混合損耗和功率處理要求。從中可以明顯看出圖1中的框圖顯示了一個平衡放大器由兩個鏡像單端放大器組成。在里面一些應用,例如發(fā)射機驅動放大器用戶可以單獨使用單端放大器,從而節(jié)省了板面積。

放大器 GaAs
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