資料介紹
在看到 MOSFET 數據表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA 曲線),而其它的某些參數自始至終就毫無用處(比如說:開關時間)。在這個即將開始的博文系列中,我們將試著破解 FET 數據表,這樣的話,讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應用來說,是最常見的數據,而不會被不同的生產商為了使他們的產品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。自從 20 世紀 80 年代中期在 MOSFET 數據表中廣泛使用的以來,無鉗位電感開關 (UIS) 額定值就已經被證明是一個非常有用的參數。雖然不建議在實際應用中使用 FET 的重復雪崩,工程師們已經學會了用這個度量標準在制定新器件開發方案時避免那些有可能導致問題的脆弱器件。在溫度范圍內具有特別薄弱 UIS 能力或者發生嚴重降級的器件(25°C 至 125°C 之間大于 30%)應當被禁止,因為這些器件會更容易受到故障的影響。設計人員也應該對制造商在額定值上搗鬼,夸大他們的 FET 雪崩能力而感到厭煩。 UIS 測試由圖 1 中所示的測試電路執行。在 FET 關閉時,其上施加了一個電源電壓,然后檢查器件上是否有泄露。在 FET 接通時,電感器電流穩定增加。當達到所需的電流時,FET 被關閉,FET 上的 Ldi/dt 電壓擺幅在 MOSFET 擊穿電壓之上,從而激活了其內在的寄生雙極晶體管,并在 FET 上出現有效的雪崩效應。這項測試重復進行,電流逐漸增加,直到開始的泄漏測試失敗,表明器件已被損壞。
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