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      電子發燒友網>電子資料下載>電子資料>MOSFET數據表連續電流額定值的詳細資料說明

      MOSFET數據表連續電流額定值的詳細資料說明

      2021-01-06 | pdf | 0.14 MB | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      　　今天我們來談一談 MOSFET 電流額定值，以及它們是如何變得不真實的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定 RDS（ON） 和柵極電荷等參數的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。例如，大多數部件中都有 FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環境無關，并且是硅芯片與塑料封裝之間內在連接線的一個函數。超過這個值不會立即對 FET 造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復合材料的熱降解、以及電遷移應力所導致的問題。然后是我們考慮的“芯片限值”，通常通過將外殼溫度保持在 25?C 來指定?；旧?，這個條件假定了一個理想的散熱片，只使用結至外殼熱阻來計算器件能夠處理的最大功率（在下面的方程式 1 和 2 中顯示）。換句話說，假定 RθCase-to-Ambient 為零，這在應用中并不是一個很實用的條件，這樣的話，最好將這個電流額定值視為表示器件 RDS（ON） 和熱阻抗的品質因數。

      MOSFET 計算器 RDS
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