




































審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
151文章
9661瀏覽量
233473 -
雪崩
+關注
關注
0文章
7瀏覽量
10356 -
功率MOSFET
+關注
關注
0文章
440瀏覽量
23085
原文標題:功率MOSFET雪崩特性及失效案例分析
文章出處:【微信號:mcu168,微信公眾號:硬件攻城獅】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
功率MOSFET的雪崩效應
在關斷狀態下,功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典
功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數解讀
在功率MOSFET器件的設計與選型中,單脈沖雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy, EAS)是一個至關重要的參數。它量化了器件在極端過壓條件下,單次承受雪崩
功率 MOSFET、其電氣特性定義
(on)-V_GS 特性 (2SK3418)功率MOSFET的破壞機理及對策雪崩破壞模式ASO(安全操作區)內部二極管損壞由于寄生振蕩而損壞柵極浪涌、靜電破壞
發表于 06-11 15:19
功率MOSFET管的應用問題分析
損壞,實際應用中,功率MOSFET管損壞模式包括ESD損壞、過流損壞、過壓損壞、過流后過壓損壞、UIS雪崩損壞、寄生體二極管反向恢復損壞等,要結合具體應用電路和失效形態來分析。參考公眾
發表于 11-19 06:35
功率MOSFET重復雪崩電流及重復雪崩能量
有些功率MOSFET的數據表中列出了重復雪崩電流IAR和重復雪崩能量EAR,同時標注了測量條件,通常有起始溫度25C,最高結溫150C或者175C,以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率,這些
發表于 09-22 11:44
MOSFET雪崩能量的應用考慮
在功率MOSFET的數據表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復脈沖雪崩能量EAR等參數,而許多電子工程師在設計電源系統
發表于 12-30 10:12
?2912次閱讀
如何理解功率MOSFET規格書之雪崩特性和體二極管參數的詳細資料說明
本文檔的主要內容詳細介紹的是如何理解功率MOSFET規格書之雪崩特性和體二極管參數的詳細資料說明。
發表于 03-07 08:00
?20次下載
功率MOSFET的雪崩特性和額定值詳細說明
早在80年代中期,功率MOSFET制造商就開始宣稱一個新的突出特點:雪崩的堅固性。突然間,新的設備家族進化了,所有這些都有了“新”的特性。實現起來相當簡單:垂直
發表于 06-08 08:00
?5次下載
功率MOSFET雪崩特性分析
評論