木發明涉及一種背接觸晶體硅太陽能電池的制作方法。選擇P型或N型晶體硅硅片為襯底，經常規清洗和表面織構化后，在硅片的背表面淀積摻雜源。然后利用激光對欲彤成摻雜區的區域進jJ：加熱，使摻雜源中的雜質擴散進入硅片中。 面沒有激光加熱的區域溫度較低，摻雜源不會進入硅片。激光處理結術后，用水或其它溶劑占除賤留的摻雜源。這樣，就在限定的區域形成了摻雜區。采用這種方法，可以簡單地實現背表面限定區域內的摻雜。 然后利用絲網印刷、光刻、或真空蒸發、濺射等常規方法分別制各發射區和基區電極，并完成電池的制作。用這種方法制備背接觸電池，可以明顯簡化電池的制作工藝，減少工藝成本。

　　1．一種背接觸晶體硅太陽能電池的制作方法，其步驟包括：

　　（1）采用厚度為100～500 u m，電阻率為0.2～ooo Q cm的P型或N型晶體硅作為襯底；

　　（2）用常規方法在所述硅襯底正表面作表面織構化：然后作常規清洗；

　　（3）在所述硅襯底背表面，淀積摻雜源；淀積方法包括噴涂、印刷以及其它常規的淀積方法；

　　（4）利用激光對欲形成摻雜區的區域進行加熱形成摻雜區；

　　（6）采用常規的絲網日J刷、真空蒸發或濺射方法，在所述摻雜區上制備基區或發射區金屬電極。

　　2．如權利要求1所述的一種背接觸晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述摻雜源為含磷、或銻、或硼、或鋁、或鎵等III族或V族摻雜劑的化合物或混合物。

　　3．如權利要求l所述的一種背接觸晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：形成摻雜區的方法為激光加熱。激光的波長為400～1200nm，加熱溫度800～1400℃。

　　4．如權利要求l、3所述的一種背接觸晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述摻雜區為N型或P型，按照與襯底導電類型相同或相反，分別作為背接觸電池的基區接觸區或發射區。