(n)nc-Si:H/MoO?接觸的平衡態(tài)能帶圖

通過(guò)TCAD仿真揭示了MoO?堆疊的能帶特性：(n)nc-Si/H與MoO?界面形成電子累積區(qū)，費(fèi)米能級(jí)高于導(dǎo)帶，電子通過(guò)熱離子發(fā)射和直接隧穿傳輸，完全在導(dǎo)帶內(nèi)完成。相較于傳統(tǒng)隧穿接觸，MoO?的n型特性避免了價(jià)帶復(fù)合損失。

接觸電阻優(yōu)化

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不同等離子體處理的接觸電阻（ρc）

該研究制造了對(duì)稱接觸電阻測(cè)試樣品，以評(píng)估不同等離子體處理對(duì)接觸電阻的影響。結(jié)果表明，引入含硼等離子體處理（PTB）可以顯著降低接觸電阻，從平均183 mΩcm2降低到108 mΩcm2。這表明PTB 對(duì)于提高接觸性能具有積極作用。

FBC-SHJ 太陽(yáng)能電池的性能評(píng)估

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FBC-SHJ太陽(yáng)能電池性能參數(shù)

FBC-SHJ 太陽(yáng)能電池：實(shí)驗(yàn)比較了不同厚度的 n 型 nc-Si:H 層和等離子體處理對(duì)電池性能的影響。結(jié)果顯示，使用50 nm 厚的 n 型 nc-Si:H 層和PTB的電池表現(xiàn)出最佳性能，填充因子（FF）達(dá)到 81.56%，開(kāi)路電壓（VOC）超過(guò) 705 mV。

IBC-SHJ 太陽(yáng)能電池的制造與優(yōu)化

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IBC-SHJ太陽(yáng)能電池制造流程示意圖

IBC-SHJ 太陽(yáng)能電池的制造流程：

• 沉積本征非晶硅（(i)a-Si:H）鈍化層與前表面場(chǎng)（(n)nc-SiO?:H）；
• 前后表面沉積SiO?保護(hù)層（800 nm與1600 nm）；
• 全區(qū)域沉積(n)nc-Si:H層；
• 濕法刻蝕去除空穴收集區(qū)的(n)nc-Si:H與SiO?層；
• 沉積全區(qū)域MoO?與ITO層；
• 光刻圖案化與銀電極制備。

IBC-SHJ太陽(yáng)能電池J-V參數(shù)對(duì)比

最佳IBC-SHJ電池的J-V曲線與參數(shù)

通過(guò)光刻與濕法刻蝕優(yōu)化圖案化工藝，解決了小間距（300 μm）下的鈍化層損傷問(wèn)題。優(yōu)化后，IBC電池的VOC提升147 mV，F(xiàn)F提高10.7%，最佳電池效率達(dá)21.14%，分流電阻>150 kΩ·cm2，接近實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)FBC電池水平。FBC-SHJ電池在本研究中作為技術(shù)驗(yàn)證平臺(tái)，成功展示了MoO?基接觸堆疊在簡(jiǎn)化工藝與提升效率方面的潛力。實(shí)驗(yàn)證明，MoO?的低橫向?qū)щ娦?/strong>顯著提升分流電阻，PTB處理優(yōu)化了接觸界面性能。優(yōu)化后的IBC電池效率達(dá)21.14%，且具備24%以上的效率潛力。

美能TLM接觸電阻測(cè)試儀

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美能TLM接觸電阻測(cè)試儀所具備接觸電阻率測(cè)試功能，可實(shí)現(xiàn)快速、靈活、精準(zhǔn)檢測(cè)。

靜態(tài)測(cè)試重復(fù)性≤1%，動(dòng)態(tài)測(cè)試重復(fù)性≤3%

線電阻測(cè)量精度可達(dá)5%或0.1Ω/cm

接觸電阻率測(cè)試與線電阻測(cè)試隨意切換

定制多種探測(cè)頭進(jìn)行測(cè)量和分析

美能TLM接觸電阻測(cè)試儀憑借其高精度、多功能性與定制化設(shè)計(jì)，為本研究中的界面工程優(yōu)化與電池性能驗(yàn)證提供了關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)支撐，確保了從材料特性到電池效率的全鏈條研究可靠性。

原文出處：Interdigitated-back-contacted silicon heterojunction solar cells featuring novel MoOx-based contact stacks

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